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【单选题】
本征半导体温度越高,电子空穴对越( )
A.
多
B.
少
C.
不一定
D.
根据共价键浓度而定
题目标签:
本征半导体
导体温度
电子空穴
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参考答案:
举一反三
【判断题】随着温度上升,本征半导体与金属材料的电阻率的变化情况是一样的。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【判断题】一般情况下本征半导体中载流子数目极少, 其导电性能很差。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【单选题】PIN光电二极管,平均每三个入射光子产生一个电子空穴对,假设所有电子都被收集,则该器件的量子效率为 ________。
A.
1/3
B.
1/4
C.
1/2
D.
0.4
查看完整题目与答案
【判断题】在半导体材料中,本征半导体的自由电子浓度等于空穴的浓度
A.
对
B.
错
查看完整题目与答案
【单选题】温度传感器通常有半导体温度传感器、集成温度传感器、( )热电阻等几种。
A.
(A)集成温度传感器
B.
(B)热电偶
C.
(C)热导体
D.
(D)热电容
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【单选题】在本征半导体中掺入( )份元素杂质,就形成P型半导体。
A.
三
B.
五
C.
四
D.
两
查看完整题目与答案
【单选题】在本征半导体中加入()元素可形成N型半导体。
A.
五价
B.
四价
C.
三价
查看完整题目与答案
【判断题】本征半导体是没有杂质的纯净晶体半导体
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【简答题】分析快电荷灵敏前置放大器。分别计算电荷和能量变换增益。(ω=3.6ev/电子空穴对,e=1.6×10-19库仑)
查看完整题目与答案
【简答题】N型半导体是在本征半导体中加入 价元素, 多数载流子为 ,少数载流子为 。
查看完整题目与答案
【简答题】在本征半导体中,电子浓度 空穴浓度 ; 在N型半导体中,电子浓度 空穴浓度; 在P型半导体中,电子浓度 空穴浓度。
查看完整题目与答案
【判断题】本证半导体温度升高后,两种载流子浓度仍然相等。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【判断题】半导体和绝缘体的能带结构相似,只是半导体的禁带宽度较小,在外界光、热等作用下,满带中的电子可以跃过禁带到空带中,从而出现了满带中的电子空穴导电和空带中自有电子导电
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【判断题】本征半导体中自由电子和空穴的数目不会随着温度的升高而增加。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【判断题】常见的温度传感器包括热敏电阻,半导体温度传感器,以及温差电偶。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】电子空穴对作为准粒子,是
A.
波色子
B.
费米子
C.
可能是波色子,也可能是费米子
D.
既不是波色子,也不是费米子
查看完整题目与答案
【简答题】p-n结太阳电池在稳定的光照下,产生的电子空穴对,在内建电场的作用下,电子“集结”______区,空穴 “集结”到________区,此时电池两级之间的电压是太阳电池的光生电压。
查看完整题目与答案
【简答题】在本征半导体中加入()价的元素得到P型半导体。
查看完整题目与答案
【单选题】本征半导体中的电子空穴对是由( )的作用产生。
A.
空穴移动
B.
自由电子移动
C.
载流子运动
D.
热激发
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【简答题】本征半导体中, 有 和 两种载流子 ,在本征半导体中,掺入 价元素,可成为P型半导体。
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正确
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正确
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A.
1/3
B.
1/4
C.
1/2
D.
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A.
对
B.
错
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A.
(A)集成温度传感器
B.
(B)热电偶
C.
(C)热导体
D.
(D)热电容
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A.
三
B.
五
C.
四
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两
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A.
五价
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正确
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【判断题】本证半导体温度升高后,两种载流子浓度仍然相等。
A.
正确
B.
错误
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【判断题】半导体和绝缘体的能带结构相似,只是半导体的禁带宽度较小,在外界光、热等作用下,满带中的电子可以跃过禁带到空带中,从而出现了满带中的电子空穴导电和空带中自有电子导电
A.
正确
B.
错误
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【判断题】本征半导体中自由电子和空穴的数目不会随着温度的升高而增加。
A.
正确
B.
错误
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【判断题】常见的温度传感器包括热敏电阻,半导体温度传感器,以及温差电偶。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】电子空穴对作为准粒子,是
A.
波色子
B.
费米子
C.
可能是波色子,也可能是费米子
D.
既不是波色子,也不是费米子
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【简答题】p-n结太阳电池在稳定的光照下,产生的电子空穴对,在内建电场的作用下,电子“集结”______区,空穴 “集结”到________区,此时电池两级之间的电压是太阳电池的光生电压。
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【简答题】在本征半导体中加入()价的元素得到P型半导体。
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【单选题】本征半导体中的电子空穴对是由( )的作用产生。
A.
空穴移动
B.
自由电子移动
C.
载流子运动
D.
热激发
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【简答题】本征半导体中, 有 和 两种载流子 ,在本征半导体中,掺入 价元素,可成为P型半导体。
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