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【简答题】
当杂质能级展宽为杂质能带,其杂质电离能_________(减小,增强),并且杂质浓度越大,导电性_________(减小,增强)。
题目标签:
杂质能带
杂质浓度
杂质能级
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参考答案:
举一反三
【单选题】如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央,则它对电子的俘获率()空穴的俘获率。
A.
大于
B.
等于
C.
小于
D.
有效的复合中心
查看完整题目与答案
【判断题】实际的PN结,P区和N区杂质浓度相等。 ( )
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【单选题】位于费米能级附近的杂质能级是有效的陷阱能级。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【单选题】当受主杂质能级和费米能级重合时,有()受主杂质电离了.
A.
1/4
B.
3/4
C.
1/3
D.
2/3
查看完整题目与答案
【多选题】对于水系统集成中的杂质-浓度图说法正确的是:
A.
水的极限曲线代表供水线的极限
B.
供水线的斜率越大代表水流量越小
C.
横坐标代表杂质负荷,纵坐标代表杂质浓度
D.
供水线和物料线之间的垂直距离就是浓度差
查看完整题目与答案
【单选题】当活性污泥或化学污泥等杂质浓度大于()mg/L时,将出现成区沉降。
A.
200—500
B.
500—1000
C.
750—1000
D.
1000—2000
查看完整题目与答案
【单选题】一般PN二极管,其杂质浓度比约为()
A.
1:10
3
B.
1:10
5
C.
1:10
8
D.
1:10
12
查看完整题目与答案
【判断题】净洗过程中织物上的污杂质浓度小于洗液中的污杂质浓度。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【判断题】当扩散电阻的表面杂质浓度增加时,压阻系数增加。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【判断题】杂质能级与价带中的能级相同。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【单选题】相同施主杂质浓度( N D =1x10 16 cm -3 )的半导体硅和锗,室温时 _________ 。
A.
硅中的电子浓度远大于锗
B.
硅中的电子浓度远小于锗
C.
硅中的空穴浓度远大于锗
D.
硅中的空穴浓度远小于锗
查看完整题目与答案
【单选题】三极管的制作工艺措施是:( )区很薄且杂质浓度低。
A.
集电
B.
发射
C.
基
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【单选题】当受主杂质能级和费米能级重合时,有()受主杂质电离了.
A.
1/3
B.
1/4
C.
2/3
D.
3/4
查看完整题目与答案
【简答题】什么是杂质能级,其特点如何?
查看完整题目与答案
【简答题】P型掺杂半导体形成( )杂质能级,N型掺杂半导体形成( )杂质能级。
查看完整题目与答案
【简答题】硅中受主杂质浓度为1017cm-3,计算在300K下的载流子浓度n0和p0。
查看完整题目与答案
【简答题】砷化镓中施主杂质浓度为1016cm-3,分别计算T=300K、400K的电阻率和电导率。
查看完整题目与答案
【单选题】当扩散电阻的表面杂质浓度增加时,压阻系数?
A.
增加
B.
减小
C.
不变
D.
不定
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【简答题】说明杂质能级以及电离能的物理意义。为什么受主、施主能级分别位于价带之上或导带之下,而且电离能的数值较小?
查看完整题目与答案
【单选题】离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的()。
A.
能量
B.
剂量
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等于
C.
小于
D.
有效的复合中心
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A.
正确
B.
错误
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A.
正确
B.
错误
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A.
1/4
B.
3/4
C.
1/3
D.
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A.
水的极限曲线代表供水线的极限
B.
供水线的斜率越大代表水流量越小
C.
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D.
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A.
200—500
B.
500—1000
C.
750—1000
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1000—2000
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A.
1:10
3
B.
1:10
5
C.
1:10
8
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1:10
12
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A.
正确
B.
错误
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A.
正确
B.
错误
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A.
正确
B.
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【单选题】相同施主杂质浓度( N D =1x10 16 cm -3 )的半导体硅和锗,室温时 _________ 。
A.
硅中的电子浓度远大于锗
B.
硅中的电子浓度远小于锗
C.
硅中的空穴浓度远大于锗
D.
硅中的空穴浓度远小于锗
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【单选题】三极管的制作工艺措施是:( )区很薄且杂质浓度低。
A.
集电
B.
发射
C.
基
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【单选题】当受主杂质能级和费米能级重合时,有()受主杂质电离了.
A.
1/3
B.
1/4
C.
2/3
D.
3/4
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【简答题】P型掺杂半导体形成( )杂质能级,N型掺杂半导体形成( )杂质能级。
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【单选题】当扩散电阻的表面杂质浓度增加时,压阻系数?
A.
增加
B.
减小
C.
不变
D.
不定
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【单选题】离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的()。
A.
能量
B.
剂量
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