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【填空题】

（）是半导体单晶重要电学参数之一，它反映了补偿后的杂质浓度，与半导体中的载流子浓度有直接关系。

题目标签：杂质浓度半导体单晶载流子浓度
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举一反三

【单选题】当活性污泥或化学污泥等杂质浓度大于（）mg／L时，将出现成区沉降。
A.
200—500
B.
500—1000
C.
750—1000
D.
1000—2000
查看完整题目与答案

【单选题】二次离子质谱确定的是总的杂质浓度。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【单选题】三极管的基区薄且杂质浓度( ),发射区杂质浓度( ),集电区面积大且杂质浓度( )。
A.
低；高；高
B.
低；高；低
C.
高；高；低
D.
低；低；高
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【单选题】相同施主杂质浓度( N D =1x10 16 cm -3 )的半导体硅和锗,室温时 _________ 。
A.
硅中的电子浓度远大于锗
B.
硅中的电子浓度远小于锗
C.
硅中的空穴浓度远大于锗
D.
硅中的空穴浓度远小于锗
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【单选题】通常情况下，当氧化物在杂质浓度较低时，其在高温条件下引起的扩散主要是（）。
A.
本征扩散
B.
非本征扩散
C.
互扩散
D.
A+B
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【单选题】通常情况下，当氧化物在杂质浓度较低时，其在高温条件下引起的扩散主要是（）。
A.
本征扩散
B.
非本征扩散
C.
互扩散
D.
A+B
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【简答题】硅中受主杂质浓度为1017cm-3，计算在300K下的载流子浓度n0和p0。
查看完整题目与答案

【简答题】砷化镓中施主杂质浓度为1016cm-3，分别计算T=300K、400K的电阻率和电导率。
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【单选题】当扩散电阻的表面杂质浓度增加时，压阻系数？
A.
增加
B.
减小
C.
不变
D.
不定
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【单选题】离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的()。
A.
能量
B.
剂量
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B.
500—1000
C.
750—1000
D.
1000—2000
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【单选题】二次离子质谱确定的是总的杂质浓度。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】三极管的基区薄且杂质浓度( ),发射区杂质浓度( ),集电区面积大且杂质浓度( )。
A.
低；高；高
B.
低；高；低
C.
高；高；低
D.
低；低；高
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【单选题】相同施主杂质浓度( N D =1x10 16 cm -3 )的半导体硅和锗,室温时 _________ 。
A.
硅中的电子浓度远大于锗
B.
硅中的电子浓度远小于锗
C.
硅中的空穴浓度远大于锗
D.
硅中的空穴浓度远小于锗
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【单选题】通常情况下，当氧化物在杂质浓度较低时，其在高温条件下引起的扩散主要是（）。
A.
本征扩散
B.
非本征扩散
C.
互扩散
D.
A+B
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【单选题】通常情况下，当氧化物在杂质浓度较低时，其在高温条件下引起的扩散主要是（）。
A.
本征扩散
B.
非本征扩散
C.
互扩散
D.
A+B
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【简答题】硅中受主杂质浓度为1017cm-3，计算在300K下的载流子浓度n0和p0。
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【单选题】当扩散电阻的表面杂质浓度增加时，压阻系数？
A.
增加
B.
减小
C.
不变
D.
不定
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【单选题】离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的()。
A.
能量
B.
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