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【单选题】
对于Ge pn结,已知Na=1E17 cm-3,Nd=1E15 cm-3。则內建势垒高度为()eV
A.
0.1
B.
0.3
C.
0.5
D.
0.7
题目标签:
势垒高度
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参考答案:
举一反三
【多选题】下列影响pn结势垒高度的因素包括:
A.
pn结两边的掺杂浓度。
B.
温度。
C.
pn结材料的禁带宽度。
D.
正向偏压的大小。
查看完整题目与答案
【判断题】肖特基势垒二极管的势垒高度可以精确测量。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【判断题】pn结的正向偏压可降低pn结的势垒高度
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【判断题】势垒高度越高,贯穿系数越小。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【单选题】隧道效应引起肖特基势垒高度的变化量随()
A.
反偏电压绝对值的增加而减小
B.
正偏电压的增加而增大
C.
反偏电压绝对值的增加而增大
D.
正偏电压的增加而减小
查看完整题目与答案
【简答题】界面态对肖特基势垒高度有什么影响?
查看完整题目与答案
【多选题】考虑镜像力后,金属半导体接触的势垒高度将()
A.
降低
B.
不变
C.
升高
D.
无法判断
E.
变宽
F.
变窄
查看完整题目与答案
【单选题】对于Ge pn结,已知Na=1E17 cm-3,Nd=1E15 cm-3。则內建势垒高度为()eV
A.
0.1
B.
0.3
C.
0.5
D.
0.7
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【简答题】界面态对肖特基势垒高度有什么影响?
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【单选题】考虑镜像力后,金属半导体接触的势垒高度将()
A.
降低
B.
不变
C.
升高
D.
无法判断
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【简答题】空间电荷层、内建电场与势垒高度
查看完整题目与答案
【单选题】典型实际金半接触(n-Si)的势垒高度约为()eV。
A.
0.1
B.
0.3
C.
0.6
D.
0.9
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【简答题】界面态对肖特基势垒高度有什么影响?
查看完整题目与答案
【单选题】加正向偏压于 pn 结,势垒高度将( )。
A.
升高
B.
下降
C.
不变
D.
不确定
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【判断题】正向电压越大,PN结的势垒高度越大
A.
正确
B.
错误
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【单选题】下列势垒中(a为势垒宽度,U0为势垒高度),隧道效应最明显的是()
A.
a=1nm,U0=3eV
B.
a=20
,U0=104cm-1
C.
a=10bohr,U0=104cm-1
D.
a=0.03μm,U0=5eV
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【单选题】下列势垒中(a为势垒宽度,U 0 为势垒高度),隧道效应最明显的是( )
A.
a=1nm,U 0 =3eV
B.
a=20 ,U 0 =10 4 cm -1
C.
a=10bohr,U 0 =10 4 cm -1
D.
a=0.03μm,U 0 =5eV
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【简答题】典型实际金半接触(n-Si)的势垒高度约为()eV。
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【单选题】加反向偏压于 pn 结,势垒高度将( )。
A.
升高
B.
下降
C.
不变
D.
不确定
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正确
B.
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A.
正确
B.
错误
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A.
正确
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反偏电压绝对值的增加而减小
B.
正偏电压的增加而增大
C.
反偏电压绝对值的增加而增大
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降低
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不变
C.
升高
D.
无法判断
E.
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A.
0.1
B.
0.3
C.
0.5
D.
0.7
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不变
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A.
0.1
B.
0.3
C.
0.6
D.
0.9
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【单选题】加正向偏压于 pn 结,势垒高度将( )。
A.
升高
B.
下降
C.
不变
D.
不确定
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A.
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【单选题】下列势垒中(a为势垒宽度,U0为势垒高度),隧道效应最明显的是()
A.
a=1nm,U0=3eV
B.
a=20
,U0=104cm-1
C.
a=10bohr,U0=104cm-1
D.
a=0.03μm,U0=5eV
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【单选题】下列势垒中(a为势垒宽度,U 0 为势垒高度),隧道效应最明显的是( )
A.
a=1nm,U 0 =3eV
B.
a=20 ,U 0 =10 4 cm -1
C.
a=10bohr,U 0 =10 4 cm -1
D.
a=0.03μm,U 0 =5eV
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【简答题】典型实际金半接触(n-Si)的势垒高度约为()eV。
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【单选题】加反向偏压于 pn 结,势垒高度将( )。
A.
升高
B.
下降
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D.
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