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【单选题】

对于Ge pn结,已知Na=1E17 cm-3,Nd=1E15 cm-3。则內建势垒高度为()eV

A.
0.1
B.
0.3
C.
0.5
D.
0.7
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举一反三

【多选题】下列影响pn结势垒高度的因素包括:

A.
pn结两边的掺杂浓度。
B.
温度。
C.
pn结材料的禁带宽度。
D.
正向偏压的大小。

【单选题】隧道效应引起肖特基势垒高度的变化量随()

A.
反偏电压绝对值的增加而减小
B.
正偏电压的增加而增大
C.
反偏电压绝对值的增加而增大
D.
正偏电压的增加而减小

【单选题】下列势垒中(a为势垒宽度,U0为势垒高度),隧道效应最明显的是()

A.
a=1nm,U0=3eV
B.
a=20,U0=104cm-1
C.
a=10bohr,U0=104cm-1
D.
a=0.03μm,U0=5eV

【单选题】下列势垒中(a为势垒宽度,U 0 为势垒高度),隧道效应最明显的是(    )

A.
a=1nm,U 0 =3eV
B.
a=20 ,U 0 =10 4 cm -1
C.
a=10bohr,U 0 =10 4 cm -1
D.
a=0.03μm,U 0 =5eV
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pn结两边的掺杂浓度。
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温度。
C.
pn结材料的禁带宽度。
D.
正向偏压的大小。
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A.
反偏电压绝对值的增加而减小
B.
正偏电压的增加而增大
C.
反偏电压绝对值的增加而增大
D.
正偏电压的增加而减小
【单选题】下列势垒中(a为势垒宽度,U0为势垒高度),隧道效应最明显的是()
A.
a=1nm,U0=3eV
B.
a=20,U0=104cm-1
C.
a=10bohr,U0=104cm-1
D.
a=0.03μm,U0=5eV
【单选题】下列势垒中(a为势垒宽度,U 0 为势垒高度),隧道效应最明显的是(    )
A.
a=1nm,U 0 =3eV
B.
a=20 ,U 0 =10 4 cm -1
C.
a=10bohr,U 0 =10 4 cm -1
D.
a=0.03μm,U 0 =5eV
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