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【判断题】
场效应管是双极性半导体器件。
A.
正确
B.
错误
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举一反三
【单选题】和动态MOS存储器比较，双极性半导体存储器的性能是( )。
A.
集成度低，存取周期快，位平均功耗大
B.
集成度低，存取周期慢，位平均功耗小
C.
集成度高，存取周期快，位平均功耗小
D.
集成度高，存取周期慢，位平均功耗大
【单选题】N 沟道和 P 沟道场效应管的区别在于 ____
A.
衬底材料前者为硅，后者为锗
B.
衬底材料前者为 N 型，后者为 P 型
C.
导电沟道中载流子前者为电子，后者为空穴
D.
衬底材料前者为 P 型，后者为 N 型
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衬底材料前者为硅，后者为锗
B.
衬底材料前者为 N 型，后者为 P 型
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导电沟道中载流子前者为电子，后者为空穴
D.
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