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【单选题】
掺有
硼原子和
原子的Ge样品,室温时,Ge的本征载流子浓度
,电子迁移率
,空穴迁移率
,试计算室温时样品的电阻率。
A.
8.2Ω·cm
B.
47.9Ω·cm
C.
17.4Ω·cm
D.
70.6Ω·cm
题目标签:
本征载流子
载流子浓度
电子迁移率
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参考答案:
举一反三
【单选题】③单晶硅的电子迁移率为
A.
0.5~1 cm2/V*s
B.
30~300 cm2/V*s
C.
600~700 cm2/V*s
D.
5~10 cm2/V*s
查看完整题目与答案
【判断题】轻掺杂的N型半导体中本征载流子浓度比重掺杂的N型半导体中本征载流子浓度要低
A.
正确
B.
错误
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【单选题】掺有硼原子和原子的Ge样品,室温时,Ge的本征载流子浓度,电子迁移率,空穴迁移率,试计算室温时样品的电阻率。
A.
8.2Ω·cm
B.
47.9Ω·cm
C.
17.4Ω·cm
D.
70.6Ω·cm
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【判断题】电子迁移率比硅高6倍,多应用于超高速、超高频器件和集成电路中。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】含有施主杂质浓度 及受主杂质浓度为的硅,温度为300K时,本征载流子浓度,温度为500K时,本征载流子浓度,计算在300K时费米能级的位置。
A.
B.
C.
D.
查看完整题目与答案
【简答题】设电子迁移率 0.1m 2 /( V · S),Si 的电导有效质量m c =0.26m 0 , 加以强度为10 4 V/m的电场,试求平均自由时间和平均自由程。
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【简答题】利用表 3-2 中的 m n * , m p * 数值,计算硅、鍺、砷化镓在室温下的 N c , N v 以及本征载流子浓度。
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【单选题】杂质半导体中的少数载流子浓度_____本征载流子浓度。
A.
大于
B.
小于
C.
等于
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【单选题】已知室温下硅的本征载流子密度ni=1.5´1010 cm-3,试求掺磷浓度为1.5´1013 cm-3,掺硼浓度为1.0´1013 cm-3的硅样品在室温热平衡状态下的电子密度n0、空穴密度p0和费米能级的位置(Ec-EF)。已知此时硅中杂质原子已全部电离,硅的导带底和价带顶有效态密度分别为2.8´1019cm-3和1.1´1019cm-3。( )
A.
n0=5´1012cm-3, p0=4.5´107cm-3, Ec-EF=0.404eV
B.
n0=4.5´107cm-3, p0=5´1012cm-3, Ec-EF=0.362eV
C.
n0=5´1012cm-3, p0=4.5´107cm-3, Ec-EF=0.362eV
D.
n0=4.5´107cm-3, p0=5´1012cm-3, Ec-EF=0.404eV
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【判断题】轻掺杂N型半导体的本征载流子浓度比重掺杂N型半导体的本征载流子浓度低
A.
正确
B.
错误
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D.
5~10 cm2/V*s
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A.
正确
B.
错误
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A.
8.2Ω·cm
B.
47.9Ω·cm
C.
17.4Ω·cm
D.
70.6Ω·cm
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A.
正确
B.
错误
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A.
B.
C.
D.
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【单选题】杂质半导体中的少数载流子浓度_____本征载流子浓度。
A.
大于
B.
小于
C.
等于
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A.
n0=5´1012cm-3, p0=4.5´107cm-3, Ec-EF=0.404eV
B.
n0=4.5´107cm-3, p0=5´1012cm-3, Ec-EF=0.362eV
C.
n0=5´1012cm-3, p0=4.5´107cm-3, Ec-EF=0.362eV
D.
n0=4.5´107cm-3, p0=5´1012cm-3, Ec-EF=0.404eV
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【判断题】轻掺杂N型半导体的本征载流子浓度比重掺杂N型半导体的本征载流子浓度低
A.
正确
B.
错误
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