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【简答题】
如果扩散过程中始终保持表面杂质浓度不变(无限源扩散),那么形成的杂质分布是()分布;如果扩散过程中保持杂质的总量不变(限定源扩散),则形成的杂质分布是()分布
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参考答案：
举一反三
【多选题】技术创新成果扩散过程包括（）。
A.
提供技术创新成果过程
B.
技术创新成果提供者与潜在使用者交流过程
C.
反馈技术创新成果过程
D.
采用技术创新成果过程
【单选题】相同施主杂质浓度( N D =1x10 16 cm -3 )的半导体硅和锗,室温时 _________ 。
A.
硅中的电子浓度远大于锗
B.
硅中的电子浓度远小于锗
C.
硅中的空穴浓度远大于锗
D.
硅中的空穴浓度远小于锗
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【单选题】相同施主杂质浓度( N D =1x10 16 cm -3 )的半导体硅和锗,室温时 _________ 。
A.
硅中的电子浓度远大于锗
B.
硅中的电子浓度远小于锗
C.
硅中的空穴浓度远大于锗
D.
硅中的空穴浓度远小于锗
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