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【判断题】

晶闸管是半控型器件，功率场效应管(Power MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是全控型器件

A.
正确
B.
错误
题目标签：场效应管绝缘栅双极型晶体管
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参考答案：
举一反三

【多选题】UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 （ ） 。
A.
增强型 NMOS
B.
增强型 PMOS
C.
耗尽型 NMOS
D.
耗尽型 PMOS
查看完整题目与答案

【判断题】两只场效应管不能直接组成复合管。（ ）
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【多选题】场效应管的类型有（）。
A.
结型场效应管
B.
绝缘栅型场效应管
C.
N沟道增强型MOS管
D.
P沟道增强型MOS管
E.
N沟道耗尽型MOS管
F.
P沟道耗尽型MOS管
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市话测量员>高级市话测量员考试题目

【判断题】绝缘栅双极晶体管内部为四层结构。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【单选题】绝缘栅型场效应管的输入电流()。
A.
较大
B.
较小
C.
为零
D.
无法判断
查看完整题目与答案

【简答题】在场效应管直流电路模型中，绝缘栅场效应管工作在饱和区时的电流表达式是（），工作在非饱和区时的电流表达式是（）；结型场效应管工作在饱和区时的电流表达式是（），工作在非饱和区时的电流表达式是（）。【图片】
查看完整题目与答案

【单选题】当场效应管的漏极直流Id从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将()。
A.
增大
B.
减小
C.
不变
D.
无关
查看完整题目与答案

【单选题】要使绝缘栅双极晶体管导通，应()。
A.
在栅极加正电压
B.
在集电极加正电压
C.
在栅极加负电压
D.
在集电极加负电压
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【判断题】双极型晶体管又称为场效应晶体管。( )
A.
正确
B.
错误
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【单选题】要使绝缘栅双极晶体管导通，应（）。
A.
在栅极加正电压
B.
在集电极加正电压
C.
在栅极加负电压
D.
在集电极加负电压
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【单选题】VGS=0V时，不能够工作在恒流区的场效应管是
A.
结型管
B.
增强型MOS管
C.
耗尽型MOS管
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【单选题】N 沟道和 P 沟道场效应管的区别在于 ____
A.
衬底材料前者为硅，后者为锗
B.
衬底材料前者为 N 型，后者为 P 型
C.
导电沟道中载流子前者为电子，后者为空穴
D.
衬底材料前者为 P 型，后者为 N 型
查看完整题目与答案

【单选题】必须加栅极电压,漏极和源极才能导电的场效应管称为()
A.
增强型场效应管
B.
耗尽型场效应管
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【简答题】当场效应管的漏极直流电源ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（）。
查看完整题目与答案

【判断题】绝缘栅双极晶体管内部分四层结构。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【多选题】栅源极间电压为0时,能够工作于恒流区的场效应管有
A.
结型管
B.
增强型MOS管
C.
耗尽型MOS管
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【多选题】双极型晶体管集成电路的特点是()
A.
集成度高
B.
功耗低
C.
工作速度高
D.
驱动能力强
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【单选题】绝缘栅双极型晶体管简称（）。
A.
MOSFET
B.
IGBT
C.
GTR
D.
GTO
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变频技术>变频技术考试题目

【单选题】绝缘栅双极晶体管IGBT中的G代表（）。
A.
集电极
B.
栅极
C.
发射极
D.
门极
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危货押运员>城轨检修师考试考试题目

【判断题】绝缘栅双极晶体管内部为四层结构。
A.
正确
B.
错误
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【多选题】UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 （ ） 。
A.
增强型 NMOS
B.
增强型 PMOS
C.
耗尽型 NMOS
D.
耗尽型 PMOS
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【判断题】两只场效应管不能直接组成复合管。（ ）
A.
正确
B.
错误
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【多选题】场效应管的类型有（）。
A.
结型场效应管
B.
绝缘栅型场效应管
C.
N沟道增强型MOS管
D.
P沟道增强型MOS管
E.
N沟道耗尽型MOS管
F.
P沟道耗尽型MOS管
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【判断题】绝缘栅双极晶体管内部为四层结构。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】绝缘栅型场效应管的输入电流()。
A.
较大
B.
较小
C.
为零
D.
无法判断
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【简答题】在场效应管直流电路模型中，绝缘栅场效应管工作在饱和区时的电流表达式是（），工作在非饱和区时的电流表达式是（）；结型场效应管工作在饱和区时的电流表达式是（），工作在非饱和区时的电流表达式是（）。【图片】
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【单选题】当场效应管的漏极直流Id从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将()。
A.
增大
B.
减小
C.
不变
D.
无关
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【单选题】要使绝缘栅双极晶体管导通，应()。
A.
在栅极加正电压
B.
在集电极加正电压
C.
在栅极加负电压
D.
在集电极加负电压
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【判断题】双极型晶体管又称为场效应晶体管。( )
A.
正确
B.
错误
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【单选题】要使绝缘栅双极晶体管导通，应（）。
A.
在栅极加正电压
B.
在集电极加正电压
C.
在栅极加负电压
D.
在集电极加负电压
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【单选题】VGS=0V时，不能够工作在恒流区的场效应管是
A.
结型管
B.
增强型MOS管
C.
耗尽型MOS管
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【单选题】N 沟道和 P 沟道场效应管的区别在于 ____
A.
衬底材料前者为硅，后者为锗
B.
衬底材料前者为 N 型，后者为 P 型
C.
导电沟道中载流子前者为电子，后者为空穴
D.
衬底材料前者为 P 型，后者为 N 型
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【单选题】必须加栅极电压,漏极和源极才能导电的场效应管称为()
A.
增强型场效应管
B.
耗尽型场效应管
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【简答题】当场效应管的漏极直流电源ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（）。
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【判断题】绝缘栅双极晶体管内部分四层结构。
A.
正确
B.
错误
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【多选题】栅源极间电压为0时,能够工作于恒流区的场效应管有
A.
结型管
B.
增强型MOS管
C.
耗尽型MOS管
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【多选题】双极型晶体管集成电路的特点是()
A.
集成度高
B.
功耗低
C.
工作速度高
D.
驱动能力强
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【单选题】绝缘栅双极型晶体管简称（）。
A.
MOSFET
B.
IGBT
C.
GTR
D.
GTO
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【单选题】绝缘栅双极晶体管IGBT中的G代表（）。
A.
集电极
B.
栅极
C.
发射极
D.
门极
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【判断题】绝缘栅双极晶体管内部为四层结构。
A.
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