创建自己的小题库
搜索
【单选题】
单晶硅片中的缺陷 不包括（）
A.
切边
B.
点缺陷
C.
线缺陷
D.
面缺陷和体缺陷
手机使用
分享
复制链接
新浪微博
分享QQ
微信扫一扫
反馈
收藏
举报参考答案：
举一反三
【单选题】根据《建设工程施工合同（示范文本）》（GF—2013—0201），缺陷责任期自（ ）起计算。
A.
合同签订日期
B.
竣工验收合格之日
C.
实际竣工日期
D.
颁发工程接收证书之日
【单选题】单晶硅电池的制造工艺主要流程为（）
A.
表面处理→制作绒面→扩散制结→制作电极→制作减反射膜
B.
表面处理→扩散制结→制作绒面→制作减反射膜→制作电极
C.
表面处理→制作绒面→扩散制结→制作减反射膜→制作电极
D.
表面处理→制作减反射膜→制作绒面→扩散制结→制作电极
相关题目：
【单选题】根据《建设工程施工合同（示范文本）》（GF—2013—0201），缺陷责任期自（ ）起计算。
A.
合同签订日期
B.
竣工验收合格之日
C.
实际竣工日期
D.
颁发工程接收证书之日
【单选题】单晶硅电池的制造工艺主要流程为（）
A.
表面处理→制作绒面→扩散制结→制作电极→制作减反射膜
B.
表面处理→扩散制结→制作绒面→制作减反射膜→制作电极
C.
表面处理→制作绒面→扩散制结→制作减反射膜→制作电极
D.
表面处理→制作减反射膜→制作绒面→扩散制结→制作电极
参考解析：
AI解析
重新生成
题目纠错 0
发布
