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【单选题】

单晶硅片中的缺陷 不包括()

A.
切边
B.
点缺陷
C.
线缺陷
D.
面缺陷和体缺陷
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参考答案:
举一反三

【单选题】根据《建设工程施工合同(示范文本)》(GF—2013—0201),缺陷责任期自( )起计算。

A.
合同签订日期
B.
竣工验收合格之日
C.
实际竣工日期
D.
颁发工程接收证书之日

【单选题】单晶硅电池的制造工艺主要流程为()

A.
表面处理→制作绒面→扩散制结→制作电极→制作减反射膜
B.
表面处理→扩散制结→制作绒面→制作减反射膜→制作电极
C.
表面处理→制作绒面→扩散制结→制作减反射膜→制作电极
D.
表面处理→制作减反射膜→制作绒面→扩散制结→制作电极
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A.
合同签订日期
B.
竣工验收合格之日
C.
实际竣工日期
D.
颁发工程接收证书之日
【单选题】单晶硅电池的制造工艺主要流程为()
A.
表面处理→制作绒面→扩散制结→制作电极→制作减反射膜
B.
表面处理→扩散制结→制作绒面→制作减反射膜→制作电极
C.
表面处理→制作绒面→扩散制结→制作减反射膜→制作电极
D.
表面处理→制作减反射膜→制作绒面→扩散制结→制作电极
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