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【判断题】
氮化硅Si3N4可以作为杂质扩散的掩蔽膜和钝化膜使用。
A.
正确
B.
错误
题目标签:
钝化膜
杂质扩散
质扩散
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参考答案:
举一反三
【判断题】虽然直至今日我们仍普遍采用扩散区一词,但是硅片制造中已不再用杂质扩散来制作pn结,取而代之的是离子注入。
A.
正确
B.
错误
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电子与通信技术>集成电路工艺原理考试题目
【简答题】例举并解释硅中固态杂质扩散的三个步骤。
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【判断题】有杂质原子参加的扩散,叫做杂质扩散
A.
正确
B.
错误
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【单选题】电池表面的钝化膜是()
A.
氧化硅
B.
氮化硅
C.
氮化铝
D.
氧化铝
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【判断题】钝化膜过厚,涂装后易造成耐蚀性不良。
A.
正确
B.
错误
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【简答题】钝化膜
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【判断题】钝化膜厚度不足,涂装后易造成T弯不良。
A.
正确
B.
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【判断题】有限源扩散,扩散时间越长,杂质扩散越深。
A.
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【多选题】钝化膜的类型
A.
吸附膜
B.
三维氧化物聚合物成相膜
C.
在无保护性膜上形成的成相膜
D.
氢氧化物沉积层覆盖的成相膜
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