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【判断题】

碲化镉是直接带隙半导体。

A.
正确
B.
错误
题目标签：半导体直接带隙半导体碲化镉
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参考答案：
举一反三

【多选题】光纤通信系统使用的半导体光源主要有（ ）
A.
半导体激光器
B.
光电二极管
C.
半导体发光二极管
D.
雪崩光电二极管
查看完整题目与答案

【判断题】si 是直接带隙半导体
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【简答题】试述半导体特性及其应用。
查看完整题目与答案

【单选题】下列选项中不是半导体使用性能主要影响因素的是( )。
A.
温度
B.
杂质
C.
光照、电压及磁场
D.
导电性介于导体和绝缘体之间
查看完整题目与答案

【多选题】发光二极管(LED)是电致发光的固体半导体高亮度光源，其特点有（　）。
A.
使用寿命长
B.
显色指数高
C.
无紫外和红外辐射
D.
能在低电压下工作
查看完整题目与答案

【判断题】半导体RAM是易失性RAM，而静态RAM中的存储信息是不易失的。
A.
对
B.
错
查看完整题目与答案

【判断题】本征半导体是没有杂质的纯净晶体半导体
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【判断题】二极管的型号基本能反映其所用半导体的材料、性能、类别及质量。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【判断题】具有高能隙的半导体,通常具有窄的平台温度范围。( )
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【简答题】简述半导体本征激发的特点。
查看完整题目与答案

【多选题】金属和半导体接触分包括：（ ）
A.
整流的欧姆接触
B.
整流的肖特基接触
C.
非整流的欧姆接触
D.
非整流的肖特基接触
查看完整题目与答案

【单选题】根据TRIZ理论中关于专利登记的划分，半导体的发现属于（ ）级别。
A.
二（少量的改进）
B.
四（全新的概念）
C.
一（简单的解）
D.
三（根本性的改进）
查看完整题目与答案

【单选题】以下不属于直接带隙半导体的是( )。
A.
GaAs
B.
CdTe
C.
Si
D.
CuInSe2
查看完整题目与答案

【多选题】下列属于化合物半导体太阳能电池的特点有（）
A.
光吸收系数高，适合于薄膜化
B.
具有耐放射性损伤的特性
C.
温度特性优良，适合于聚光工作
D.
有望得到波长响应宽带域化的高效率
查看完整题目与答案

【简答题】在本征半导体中加入（）价的元素得到P型半导体。
查看完整题目与答案

【简答题】铜铟镓硒材料是一种（ ）带隙半导体。（填“直接”或“间接”）
查看完整题目与答案

【判断题】N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【单选题】集成电路发明者之一,英特尔公司、仙童半导体公司共同创始人是?
A.
利
B.
贝尔
C.
洛克
D.
罗伯特诺伊斯
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【判断题】半导体静态RAM依据电容存储电荷原理存储信息。A. 对 B. 错
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【判断题】半导体锗和硅都是晶体结构,所以半导体管又称为晶体管。
A.
正确
B.
错误
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正确
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A.
温度
B.
杂质
C.
光照、电压及磁场
D.
导电性介于导体和绝缘体之间
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A.
使用寿命长
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显色指数高
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无紫外和红外辐射
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能在低电压下工作
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A.
对
B.
错
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A.
正确
B.
错误
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A.
正确
B.
错误
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A.
正确
B.
错误
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A.
整流的欧姆接触
B.
整流的肖特基接触
C.
非整流的欧姆接触
D.
非整流的肖特基接触
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A.
二（少量的改进）
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四（全新的概念）
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一（简单的解）
D.
三（根本性的改进）
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A.
GaAs
B.
CdTe
C.
Si
D.
CuInSe2
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A.
光吸收系数高，适合于薄膜化
B.
具有耐放射性损伤的特性
C.
温度特性优良，适合于聚光工作
D.
有望得到波长响应宽带域化的高效率
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A.
正确
B.
错误
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A.
利
B.
贝尔
C.
洛克
D.
罗伯特诺伊斯
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A.
正确
B.
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A.
正确
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