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【判断题】
电阻型MOS倒相器开启的过程中负载电容C通过沟道电阻R放电;关断的过程中VDD通过RD对负载电容C充电.
A.
正确
B.
错误
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举一反三
【单选题】CMOS反相器的负载电容 ,功耗电容 ,电源电压 ,输入矩形波的频率为1 MHz,则反相器的动态功耗为( )。
A.
1.09mW
B.
1.09W
C.
1.3mW
D.
1.3W
【单选题】CMOS反相器的负载电容【图片】，功耗电容【图片】，电源电压【图片】，输入矩形波的频率为1 MHz，则反相器的动态功耗为 。
A.
1.3 W
B.
1.09 W
C.
1.09 mW
D.
1.3 mW
【单选题】在权电阻型D/A转换器中（ ）。( 1 分)
A.
输出端需接由运放构成的跟随器
B.
每个权电阻都接在相应的开关上
C.
相邻电阻的比值都是2倍的关系
D.
相邻电阻的比值都不是2倍的关系
【单选题】CMOS反相器的负载电容CL=100pF，功耗电容CPD=15pF，电源电压VDD=3.3V，输入矩形波的频率为1 MHz，则反相器的动态功耗为 。
A.
1.3 mW
B.
1.3 W
C.
1.09 W
D.
1.09 mW
【单选题】以下各项中不是CMOS倒相器的特点的是（ ）。
A.
无论导通态还是截止态，静态功耗都很小
B.
两个管子的跨导均可以做得较大，使导通时等效电阻小
C.
在导通和截止态转变过程中，瞬态电流会增大，一定会产生很大的总功耗
D.
开关时间短，可以迅速完成状态转换
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A.
1.09mW
B.
1.09W
C.
1.3mW
D.
1.3W
【单选题】CMOS反相器的负载电容【图片】，功耗电容【图片】，电源电压【图片】，输入矩形波的频率为1 MHz，则反相器的动态功耗为 。
A.
1.3 W
B.
1.09 W
C.
1.09 mW
D.
1.3 mW
【单选题】在权电阻型D/A转换器中（ ）。( 1 分)
A.
输出端需接由运放构成的跟随器
B.
每个权电阻都接在相应的开关上
C.
相邻电阻的比值都是2倍的关系
D.
相邻电阻的比值都不是2倍的关系
【单选题】CMOS反相器的负载电容CL=100pF，功耗电容CPD=15pF，电源电压VDD=3.3V，输入矩形波的频率为1 MHz，则反相器的动态功耗为 。
A.
1.3 mW
B.
1.3 W
C.
1.09 W
D.
1.09 mW
【单选题】以下各项中不是CMOS倒相器的特点的是（ ）。
A.
无论导通态还是截止态，静态功耗都很小
B.
两个管子的跨导均可以做得较大，使导通时等效电阻小
C.
在导通和截止态转变过程中，瞬态电流会增大，一定会产生很大的总功耗
D.
开关时间短，可以迅速完成状态转换
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