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【简答题】
界面态对肖特基势垒高度有什么影响?
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举一反三
【单选题】快界面态可以在很短时间内和半导体交换电荷，它位于（）。
A.
Si - Si O 2 界面
B.
空气 - Si O 2 界面
C.
Si 内部
D.
Si O 2 内部
【单选题】下列势垒中(a为势垒宽度，U0为势垒高度)，隧道效应最明显的是()
A.
a=1nm，U0=3eV
B.
a=20
，U0=104cm-1
C.
a=10bohr，U0=104cm-1
D.
a=0.03μm，U0=5eV
【多选题】肖特基势垒探测器的特点有
A.
需要采用光耦合工艺解决垂直入射辐射的光能量不能被吸收的问题
B.
均匀性好，易于制成大面阵
C.
采用多数载流子工作，时间响应优于其他少数载流子工作的器件
D.
均匀性差，不适合制作成大面阵
【多选题】在异质结的界面处引入界面态的原因包括：
A.
在异质结的两种半导体材料界面处存在晶格失配
B.
由于两种材料热膨胀系数不同，在高温下引入界面态
C.
化合物半导体构成的异质结中，由于成分元素的互扩散，引入界面态
D.
材料表面的化学吸附
E.
材料表面的原子重构
【单选题】P型半导体构成的MIS结构，若Wm>Ws假定绝缘层中无电荷且不存在界面态时，则其平带电压( )。
A.
V FB>0
B.
V FB=0
C.
无法判断
D.
V FB<0
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A.
a=1nm，U0=3eV
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a=20，U0=104cm-1
C.
a=10bohr，U0=104cm-1
D.
a=0.03μm，U0=5eV
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A.
需要采用光耦合工艺解决垂直入射辐射的光能量不能被吸收的问题
B.
均匀性好，易于制成大面阵
C.
采用多数载流子工作，时间响应优于其他少数载流子工作的器件
D.
均匀性差，不适合制作成大面阵
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A.
在异质结的两种半导体材料界面处存在晶格失配
B.
由于两种材料热膨胀系数不同，在高温下引入界面态
C.
化合物半导体构成的异质结中，由于成分元素的互扩散，引入界面态
D.
材料表面的化学吸附
E.
材料表面的原子重构
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A.
V FB>0
B.
V FB=0
C.
无法判断
D.
V FB<0
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