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【单选题】
电路如图所示,已知场效应管的IDSS = 4mA,夹断电压UP =–4V, VDD = 20V,静态电压UGS =–2V,该电路的静态电流ID为()。
A.
2mA
B.
4mA
C.
1mA
D.
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举一反三
【单选题】N 沟道和 P 沟道场效应管的区别在于 ____
A.
衬底材料前者为硅，后者为锗
B.
衬底材料前者为 N 型，后者为 P 型
C.
导电沟道中载流子前者为电子，后者为空穴
D.
衬底材料前者为 P 型，后者为 N 型
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导电沟道中载流子前者为电子，后者为空穴
D.
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