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【简答题】

N型半导体的电子浓度 空穴浓度(填大于、小于或等于)

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参考答案:
举一反三

【单选题】在P型半导体中_______。

A.
只有自由电子一种载流子
B.
只有多数载流子自由电子和少数载流子空穴
C.
只有空穴一种载流子
D.
只有多数载流子空穴和少数载流子自由电子

【单选题】P型半导体靠()导电

A.
正电荷
B.
负电荷
C.
空穴
D.
自由电子

【多选题】下列材料属于N型半导体的是()。

A.
硅中掺有Ⅲ族元素杂质硼(B)、砷(As)
B.
砷化镓中掺有元素杂质锌、镉、镁
C.
磷化铟中掺有杂质锌(Zn)、镉(Cd)

【单选题】P型半导体的多子是

A.
自由电子
B.
空穴
C.
带正电离子
D.
带负电离子

【单选题】金属中的电子浓度很高,因此当温度升高时( )。

A.
电子浓度增加,导电能力增强
B.
电子浓度不变,导电能力不变
C.
电子之间的碰撞加剧,导电能力增强
D.
电子之间的碰撞加剧,导电能力减弱

【单选题】双极型半导体器件是()

A.
二极管
B.
三极管
C.
场效应管
D.
稳压管

【单选题】凡长度小于或等于宽度的3倍、且【】时为挖基坑。

A.
槽底宽度小于3m
B.
底面积小于或等于20㎡
C.
槽底宽度大于等于3m
D.
底面积大于20㎡
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D.
只有多数载流子空穴和少数载流子自由电子
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B.
负电荷
C.
空穴
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A.
硅中掺有Ⅲ族元素杂质硼(B)、砷(As)
B.
砷化镓中掺有元素杂质锌、镉、镁
C.
磷化铟中掺有杂质锌(Zn)、镉(Cd)
【单选题】P型半导体的多子是
A.
自由电子
B.
空穴
C.
带正电离子
D.
带负电离子
【单选题】金属中的电子浓度很高,因此当温度升高时( )。
A.
电子浓度增加,导电能力增强
B.
电子浓度不变,导电能力不变
C.
电子之间的碰撞加剧,导电能力增强
D.
电子之间的碰撞加剧,导电能力减弱
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二极管
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三极管
C.
场效应管
D.
稳压管
【单选题】凡长度小于或等于宽度的3倍、且【】时为挖基坑。
A.
槽底宽度小于3m
B.
底面积小于或等于20㎡
C.
槽底宽度大于等于3m
D.
底面积大于20㎡
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