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【多选题】
错配度越小,结晶相晶格与基底晶格共格性越好,则( )。
A.
表面张力越小
B.
不易形核
C.
易形核
D.
表面张力越大
题目标签:
共格性
错配度
结晶相
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参考答案:
举一反三
【判断题】半共格相界的点阵错配度越大,位错的间距也越大。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【单选题】陶瓷基复合材料界面共格性研究的手段一般采用
A.
TEM
B.
SEM
C.
AFM
D.
EDS
查看完整题目与答案
【单选题】半共格界面上两相原子错配度的值为
A.
δ<0.05
B.
0.05
C.
0.25
D.
0.5
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【单选题】半共格界面上两相原子错配度的值为
A.
δ<0.05
B.
0.05
C.
0.25
D.
0.5
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【单选题】半共格界面上两相原子错配度的值为
A.
0.05
B.
0.25
C.
0.5
D.
δ<0.05
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【单选题】非共格界面上两相原子错配度的值为
A.
0.025<δ<0.5
B.
0.25<δ
C.
0.05<δ<0.25
D.
δ<0.05
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【多选题】与液态结晶相变,固态相变的特点有( )
A.
母相晶格约束,相变阻力大
B.
新相与母相存在位向关系
C.
母相的缺陷处形核
D.
产生许多过渡相
查看完整题目与答案
【判断题】马氏体转变具有切变共格性
A.
正确
B.
错误
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【单选题】半共格界面上两相原子错配度的值为
A.
0.05
B.
0.25
C.
δ<0.05
D.
0.5
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A.
0.25
B.
0.5
C.
0.05
D.
δ<0.05
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【判断题】半共格相界的点阵错配度越大,位错的间距也越大。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】陶瓷基复合材料界面共格性研究的手段一般采用
A.
TEM
B.
SEM
C.
AFM
D.
EDS
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A.
δ<0.05
B.
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C.
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0.5
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B.
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0.05
B.
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C.
0.5
D.
δ<0.05
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A.
0.025<δ<0.5
B.
0.25<δ
C.
0.05<δ<0.25
D.
δ<0.05
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【多选题】与液态结晶相变,固态相变的特点有( )
A.
母相晶格约束,相变阻力大
B.
新相与母相存在位向关系
C.
母相的缺陷处形核
D.
产生许多过渡相
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【判断题】马氏体转变具有切变共格性
A.
正确
B.
错误
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【单选题】半共格界面上两相原子错配度的值为
A.
0.05
B.
0.25
C.
δ<0.05
D.
0.5
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A.
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B.
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C.
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D.
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