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【简答题】
A + B - 型离子晶体,只有正负离子空位和A + 填隙离子三种热缺陷.负电性的正离子空位,其电荷是由负离子空位的正电荷抵消,还是由间隙正离子的正电荷抵消,取决于 ,或 ,其中 , , 分别为正负离子空位和正填隙离子的形成能,利用电中性条件证明 (1)当 时,只有肖特基缺陷 (2)当 时,只有弗仑克尔缺陷 (3) ;
题目标签:
负离子空位
肖特基缺陷
电中性条件
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参考答案:
举一反三
【简答题】什么是热缺陷?简述肖特基缺陷和弗仑克尔缺陷的特点。
查看完整题目与答案
【简答题】为什么形成一个肖特基缺陷所需能量比形成一个弗仑克尔缺陷所需能量低?
查看完整题目与答案
【单选题】n型半导体的电中性条件是什么?
A.
n + D + p 0 = n 0
B.
p 0 =n + D + n 0
C.
n 0 + p 0 =n + D
D.
n 0 =p 0 +N D
查看完整题目与答案
【简答题】离子晶体中,肖特基缺陷多成对产生。如n代表正负离子空位的数目,u0代表产生一对缺陷所需要的能量,N代表晶体中原有正负离子对的数目,理论上可推出式中,γ和B分别是与原子的振动频率的改变和缺陷激活能随体积变化有关的参量。设试求T=300K和T=1000K时由于有肖特基缺陷后体积的相对变化ΔV/V。
查看完整题目与答案
【单选题】在室温全电离的情况下,P型半导体的掺杂浓度为,有n型杂质()的掺入,若,在不考虑本征激发的情况下,其电中性条件为( )。
A.
B.
C.
D.
查看完整题目与答案
【单选题】在离子型材料中,由热缺陷(肖特基缺陷和弗仑克尔缺陷)引起的扩散称为( )。
A.
自扩散
B.
互扩散
C.
本征扩散
D.
非本征扩散
查看完整题目与答案
【单选题】下列描述中哪一个是肖特基缺陷?
A.
在金属镁晶体中一个镁离子离开平衡位置,挤进晶格间隙中,在晶体内部形成一个空位一个间隙原子缺陷
B.
在金属镁晶体中一个镁离子离开平衡位置,移动到晶体表面,在内部形成一个空位缺陷
C.
在金属镁晶体中,一个镁离子的位置上没有镁而是排布了一个钙离子
D.
以上都不对
查看完整题目与答案
【判断题】肖特基缺陷是线缺陷的一种
A.
正确
B.
错误
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【判断题】肖特基缺陷是由于外来原子进入晶体而产生的缺陷
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【单选题】对于单一掺杂的n型半导体,其一般的电中性条件是()。
A.
B.
C.
D.
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A.
n + D + p 0 = n 0
B.
p 0 =n + D + n 0
C.
n 0 + p 0 =n + D
D.
n 0 =p 0 +N D
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B.
C.
D.
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B.
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C.
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D.
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A.
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B.
在金属镁晶体中一个镁离子离开平衡位置,移动到晶体表面,在内部形成一个空位缺陷
C.
在金属镁晶体中,一个镁离子的位置上没有镁而是排布了一个钙离子
D.
以上都不对
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A.
正确
B.
错误
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A.
正确
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【单选题】对于单一掺杂的n型半导体,其一般的电中性条件是()。
A.
B.
C.
D.
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