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【简答题】

利用高斯公式计算曲面积分：
其中Σ为平面x2+y2+z2=a2的外侧。

题目标签：面积分高斯公式利用高斯
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参考答案：
举一反三

【单选题】在利用高斯定理求解静电场时，要求电场具有（）分布。
A.
线性
B.
对称性
C.
任意
查看完整题目与答案

【单选题】高斯公式中P、Q、R在空间闭区域上具有
A.
连续
B.
偏导数存在
C.
可微分
D.
一阶连续偏导数
查看完整题目与答案

【多选题】利用高斯法进行潮流计算，以下说法正确的是？（）
A.
阻抗矩阵法收敛性比导纳矩阵收敛性好
B.
高斯法具有二阶收敛性
C.
导纳矩阵收敛性比阻抗矩阵法收敛性好
D.
高斯法具有一阶收敛性
查看完整题目与答案

【判断题】透镜成像的高斯公式为:
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【单选题】牛顿公式法和高斯公式法求像的根本*区别在（）。
A.
焦点
B.
焦距
C.
物距
D.
坐标原点不同
查看完整题目与答案

【简答题】利用高斯公式计算曲面积分： 其中Σ为平面x2+y2+z2=a2的外侧。
查看完整题目与答案

【简答题】利用高斯公式计算椭球面所围区域的体积为（ ）
查看完整题目与答案

【简答题】简述高斯公式（联系曲面积分和三重积分）.
查看完整题目与答案

【判断题】近轴单球面成像的高斯公式是
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【单选题】在利用高斯定理求场强时，高斯面上任意一点的场强
A.
只与高斯面内的电荷有关
B.
只与高斯面外的电荷有关
C.
与高斯面内、外的电荷都有关
D.
与高斯面内、外的电荷都无关
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连续
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偏导数存在
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可微分
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A.
阻抗矩阵法收敛性比导纳矩阵收敛性好
B.
高斯法具有二阶收敛性
C.
导纳矩阵收敛性比阻抗矩阵法收敛性好
D.
高斯法具有一阶收敛性
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A.
正确
B.
错误
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A.
焦点
B.
焦距
C.
物距
D.
坐标原点不同
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A.
正确
B.
错误
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【单选题】在利用高斯定理求场强时，高斯面上任意一点的场强
A.
只与高斯面内的电荷有关
B.
只与高斯面外的电荷有关
C.
与高斯面内、外的电荷都有关
D.
与高斯面内、外的电荷都无关
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