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【简答题】
阈电压V的短沟道效应是指,当沟道长度缩短时,V变()。
题目标签:
短沟道
阈电压
沟道效应
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参考答案:
举一反三
【简答题】当在N型MOSFET的衬底加上一个负电位时,MOSFET的阈电压会( ),这称为衬底偏置效应。
查看完整题目与答案
【简答题】短沟道效应(Short Channel Effect)
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【简答题】窄沟道效应
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【简答题】什么是沟道效应?
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集成电路技术综合练习考试题目
【简答题】阈电压V的短沟道效应是指,当沟道长度缩短时,V变()。
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【简答题】窄沟道效应
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【单选题】要减小N沟道增强型MOSFET的阈电压VT,应使()。
A.
A衬底掺杂浓度NA增大,栅氧厚度增大;
B.
B衬底掺杂浓度NA减小,栅氧厚度减小;
C.
C衬底掺杂浓度NA增大,栅氧厚度减小;
D.
D衬底掺杂浓度NA减小,栅氧厚度增大
查看完整题目与答案
【简答题】沟道效应
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【判断题】如果注入离子的半径较小,它沿着敞开的晶体方向注入时,沟道效应更加显著。( )
A.
正确
B.
错误
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【单选题】《水中镭-226的分析测定》(GB/T11214-1989)中规定,确定探测器阈电压和工作电压时,“坪”长应。( )
A.
。大于60V
B.
小于60V
C.
大于80V
D.
小于80V
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A.
A衬底掺杂浓度NA增大,栅氧厚度增大;
B.
B衬底掺杂浓度NA减小,栅氧厚度减小;
C.
C衬底掺杂浓度NA增大,栅氧厚度减小;
D.
D衬底掺杂浓度NA减小,栅氧厚度增大
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A.
正确
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A.
。大于60V
B.
小于60V
C.
大于80V
D.
小于80V
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