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【简答题】
当光子能量hγ大于组成pn半导体的 (文字表达)时,才能激发出电子空穴对
题目标签:
半导体
光子能量
电子空穴
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参考答案:
举一反三
【多选题】光纤通信系统使用的半导体光源主要有( )
A.
半导体激光器
B.
光电二极管
C.
半导体发光二极管
D.
雪崩光电二极管
查看完整题目与答案
【简答题】试述半导体特性及其应用。
查看完整题目与答案
【单选题】光子能量在100keV时,康普顿吸收所占比例为
A.
5%以下
B.
20%~40%
C.
50%~70%
D.
80%~90%
E.
95%以上
查看完整题目与答案
【单选题】下列选项中不是半导体使用性能主要影响因素的是( )。
A.
温度
B.
杂质
C.
光照、电压及磁场
D.
导电性介于导体和绝缘体之间
查看完整题目与答案
【单选题】在光线作用下,对于半导体材料吸收了入射光子能量,若光子能量大于或等于半导体材料的禁带宽度,就激发出电子——空穴对,使载流子浓度增加,半导体的导电性能增加,阻值降低,这种现场称为()。
A.
外光电效应
B.
霍尔效应
C.
光电导效应
D.
光电伏特效应
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【多选题】发光二极管(LED)是电致发光的固体半导体高亮度光源,其特点有( )。
A.
使用寿命长
B.
显色指数高
C.
无紫外和红外辐射
D.
能在低电压下工作
查看完整题目与答案
【判断题】二极管的型号基本能反映其所用半导体的材料、性能、类别及质量。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【简答题】分析快电荷灵敏前置放大器。分别计算电荷和能量变换增益。(ω=3.6ev/电子空穴对,e=1.6×10-19库仑)
查看完整题目与答案
【多选题】金属和半导体接触分包括:( )
A.
整流的欧姆接触
B.
整流的肖特基接触
C.
非整流的欧姆接触
D.
非整流的肖特基接触
查看完整题目与答案
【单选题】电离室型剂量仪在电离室壁厚度满足()而对γ射线的减弱可以忽略的情况下,剂量仪测量照射量(率)的灵敏度(响应),在()光子能量范围内基本保持不变。
A.
电子平衡比较窄的
B.
电子平衡相当宽的
C.
组织等效比较窄的
D.
组织等效相当宽的
查看完整题目与答案
【简答题】在本征半导体中加入()价的元素得到P型半导体。
查看完整题目与答案
【单选题】适合单光子显像的光子能量一般选在()
A.
50~100keV
B.
100~200keV
C.
200~300keV
D.
300~400keV
E.
400~600keV
查看完整题目与答案
【简答题】铜铟镓硒材料是一种( )带隙半导体。(填“直接”或“间接”)
查看完整题目与答案
【单选题】关于连续X线光子能量的叙述,错误的是
A.
能量大,穿透力强
B.
能量大,X线波长长
C.
是波长不等的混合射线
D.
能量决定于入射电子的能量
E.
能量决定于电子接近核的程度
查看完整题目与答案
【单选题】X射线在空间某一点的强度是指单位时间内通过垂直于X射线传播方向上的单位面积上的光子数量与能量乘积的总和。可见,X射线强度是由光子数目和光子能量两个因素决定的。在医学应用中,常用X射线的量和质来表示X射线的强度。“质”是X射线光子的()
A.
数量
B.
能量
C.
质量
D.
动量
E.
动能
查看完整题目与答案
放射医学(医学高级)>放射医学综合复习题考试题目
【单选题】集成电路发明者之一,英特尔公司、仙童半导体公司共同创始人是?
A.
利
B.
贝尔
C.
洛克
D.
罗伯特诺伊斯
查看完整题目与答案
【单选题】在10~100keV光子能量范围内,光子能量在10keV时光电吸收力95%以上,康普顿吸收为5%。光子能量为100keV时,康普顿吸收占95%以上。下列叙述正确的是()
A.
高千伏摄影产生散射线少
B.
高千伏摄影能提高对比度
C.
康普顿吸收产生散射线
D.
光电吸收有利于病人防护
E.
电压低对比度下降
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【简答题】已知X射线的光子能量为0.60MeV,在康普顿散射后波长改变了20%,求反冲电子获得的能量和动量大小.
查看完整题目与答案
【判断题】半导体锗和硅都是晶体结构,所以半导体管又称为晶体管。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【单选题】如果一束光光子能量较大,那么下述说法中正确的是()。
A.
它的波长较长
B.
它在介质中传播的速度较大
C.
它的粒子性较显著,而波动性不明显
D.
它从某种介质射向空气时,产生全反射的临界角较大
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相关题目:
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A.
半导体激光器
B.
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D.
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【单选题】光子能量在100keV时,康普顿吸收所占比例为
A.
5%以下
B.
20%~40%
C.
50%~70%
D.
80%~90%
E.
95%以上
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【单选题】下列选项中不是半导体使用性能主要影响因素的是( )。
A.
温度
B.
杂质
C.
光照、电压及磁场
D.
导电性介于导体和绝缘体之间
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【单选题】在光线作用下,对于半导体材料吸收了入射光子能量,若光子能量大于或等于半导体材料的禁带宽度,就激发出电子——空穴对,使载流子浓度增加,半导体的导电性能增加,阻值降低,这种现场称为()。
A.
外光电效应
B.
霍尔效应
C.
光电导效应
D.
光电伏特效应
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【多选题】发光二极管(LED)是电致发光的固体半导体高亮度光源,其特点有( )。
A.
使用寿命长
B.
显色指数高
C.
无紫外和红外辐射
D.
能在低电压下工作
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A.
正确
B.
错误
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【简答题】分析快电荷灵敏前置放大器。分别计算电荷和能量变换增益。(ω=3.6ev/电子空穴对,e=1.6×10-19库仑)
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A.
整流的欧姆接触
B.
整流的肖特基接触
C.
非整流的欧姆接触
D.
非整流的肖特基接触
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A.
电子平衡比较窄的
B.
电子平衡相当宽的
C.
组织等效比较窄的
D.
组织等效相当宽的
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【单选题】适合单光子显像的光子能量一般选在()
A.
50~100keV
B.
100~200keV
C.
200~300keV
D.
300~400keV
E.
400~600keV
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A.
能量大,穿透力强
B.
能量大,X线波长长
C.
是波长不等的混合射线
D.
能量决定于入射电子的能量
E.
能量决定于电子接近核的程度
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A.
数量
B.
能量
C.
质量
D.
动量
E.
动能
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A.
高千伏摄影产生散射线少
B.
高千伏摄影能提高对比度
C.
康普顿吸收产生散射线
D.
光电吸收有利于病人防护
E.
电压低对比度下降
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A.
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B.
它在介质中传播的速度较大
C.
它的粒子性较显著,而波动性不明显
D.
它从某种介质射向空气时,产生全反射的临界角较大
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