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【判断题】
金属化合物一般具有复杂的晶格结构。
A.
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B.
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举一反三
【单选题】什么是超晶格结构？
A.
两种禁带宽度不同或掺杂类型不同的超薄层周期性地重叠，每层材料（势阱和势垒）的厚度都很薄，都可以和电子的德布罗意波长相比，称这种结构为超晶格结构。
B.
两种不同的半导体薄层周期性地重叠，若窄带材料（势阱）的厚度很小，可以和电子的德布罗意波长相比，而宽带材料（势垒）的厚度较大，称这种结构为超晶格结构。
C.
能够对电子（空穴）的运动产生某种约束，使其能量量子化的势场就是超晶格结构。
D.
双异质结形成的结构，如 AlxGa1-xAs/GaAs /AlxGa1-xAs 结构。
【单选题】下列有关铁及其化合物的有关说法中正确的是（ ）
A.
赤铁矿的主要成分是Fe3O4
B.
铁与水蒸气在高温下的反应产物为Fe2O3和H2
C.
除去FeCl2溶液中的FeCl3杂质可以向溶液中加入铁粉，然后过滤
D.
Fe3+与KSCN产生血红色沉淀
【单选题】下列各组化合物按 1 H 化学位移值从大到小排列的顺序为 ( ) The order of the following groups of compounds in the order of 1 H chemical shift is ( ) a.CH 2 =CH 2 b....
A.
a>b>c>d
B.
d>c>b>a
C.
c>d>a>b
D.
b>c>a>d
【单选题】什么是超晶格结构?
A.
两种禁带宽度不同或掺杂类型不同的超薄层周期性地重叠，每层材料（势阱和势垒）的厚度都很薄，都可以和电子的德布罗意波长相比，称这种结构为超晶格结构。
B.
双异质结形成的结构，如 AlxGa1-xAs/GaAs /AlxGa1-xAs结构。
C.
两种不同的半导体薄层周期性地重叠，若窄带材料（势阱）的厚度很小，可以和电子的德布罗意波长相比，而宽带材料（势垒）的厚度较大，称这种结构为超晶格结构。
D.
能够对电子（空穴）的运动产生某种约束，使其能量量子化的势场就是超晶格结构。
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A.
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B.
两种不同的半导体薄层周期性地重叠，若窄带材料（势阱）的厚度很小，可以和电子的德布罗意波长相比，而宽带材料（势垒）的厚度较大，称这种结构为超晶格结构。
C.
能够对电子（空穴）的运动产生某种约束，使其能量量子化的势场就是超晶格结构。
D.
双异质结形成的结构，如 AlxGa1-xAs/GaAs /AlxGa1-xAs 结构。
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A.
赤铁矿的主要成分是Fe3O4
B.
铁与水蒸气在高温下的反应产物为Fe2O3和H2
C.
除去FeCl2溶液中的FeCl3杂质可以向溶液中加入铁粉，然后过滤
D.
Fe3+与KSCN产生血红色沉淀
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A.
a>b>c>d
B.
d>c>b>a
C.
c>d>a>b
D.
b>c>a>d
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A.
两种禁带宽度不同或掺杂类型不同的超薄层周期性地重叠，每层材料（势阱和势垒）的厚度都很薄，都可以和电子的德布罗意波长相比，称这种结构为超晶格结构。
B.
双异质结形成的结构，如 AlxGa1-xAs/GaAs /AlxGa1-xAs结构。
C.
两种不同的半导体薄层周期性地重叠，若窄带材料（势阱）的厚度很小，可以和电子的德布罗意波长相比，而宽带材料（势垒）的厚度较大，称这种结构为超晶格结构。
D.
能够对电子（空穴）的运动产生某种约束，使其能量量子化的势场就是超晶格结构。
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