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【简答题】

[名词解释] 强反型

题目标签：反型强反型
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举一反三

【简答题】强反型
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【简答题】[名词解释] 阈值反型点
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物理学>半导体材料考试题目

【简答题】界面临界强反型的定义是界面少子的浓度与体内多子浓度( )。
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【单选题】指出处方中的反型乳化剂(W/O型)
A.
硬脂酸
B.
聚山梨酯80
C.
油酸山梨坦
D.
硬脂醇
E.
山梨酸
查看完整题目与答案

【判断题】低频下,MOS器件在耗尽或弱反型专态,电容是偏压的函数
A.
正确
B.
错误
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【单选题】MIS结构半导体表面出现强反型的临界条件是()。(VS为半导体表面电势;qVB=Ei－EF)
A.
VS=VB
B.
VS=2VB
C.
VS=0
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【简答题】[名词解释] 弱反型
查看完整题目与答案
物理学>半导体材料考试题目

【判断题】MOS结构的阈值电压对应的是半导体表面恰好达到反型的栅电压
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【单选题】健美操双人造型包括高低型造型、正反型造型和( )。
A.
中姿造型
B.
呼应型造型
C.
技巧类造型
D.
高姿造型
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【单选题】金属与n型半导体形成MIS结构，表面层处于反型状态时,有（ ）。
A.
E F ＞ E i
B.
E F = E i
C.
E F ＜ E i
D.
E F ＜ E v
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A.
硬脂酸
B.
聚山梨酯80
C.
油酸山梨坦
D.
硬脂醇
E.
山梨酸
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【判断题】低频下,MOS器件在耗尽或弱反型专态,电容是偏压的函数
A.
正确
B.
错误
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【单选题】MIS结构半导体表面出现强反型的临界条件是()。(VS为半导体表面电势;qVB=Ei－EF)
A.
VS=VB
B.
VS=2VB
C.
VS=0
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A.
正确
B.
错误
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【单选题】健美操双人造型包括高低型造型、正反型造型和( )。
A.
中姿造型
B.
呼应型造型
C.
技巧类造型
D.
高姿造型
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【单选题】金属与n型半导体形成MIS结构，表面层处于反型状态时,有（ ）。
A.
E F ＞ E i
B.
E F = E i
C.
E F ＜ E i
D.
E F ＜ E v
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