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【单选题】
在____中,空穴浓度大于电子浓度。
A.
本征半导体
B.
不存在
C.
N 型半导体
D.
P 型半导体
题目标签:
大于
电子浓度
空穴
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参考答案:
举一反三
【判断题】半导体中的空穴芾正电。()
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【单选题】在粱、柱类构件的纵向受力钢筋搭接长度范围内,应按设计要求配置箍筋。当设计无具体要求时,受拉搭接区段的箍筋间距不应大于搭接钢筋较小直径的( )倍。
A.
5
B.
6
C.
7
D.
8
查看完整题目与答案
【简答题】电杆档距不大于多少米?架空线路最大值垂直与地面距离不小于多少米?在运输干道上不小于多少米?
查看完整题目与答案
安康杯安全知识竞赛考试题目
【判断题】P型半导体又称空穴型半导体。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【判断题】P型半导体空穴数远多于自由电子数
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【单选题】楼梯的坡度不大于( )。
A.
38
B.
30
C.
60
D.
45
查看完整题目与答案
【单选题】高层脚手架应安装防雷装置,防雷装置的接地电阻值不得大于()Ω。
A.
4
B.
8
C.
10
查看完整题目与答案
【简答题】简述电子-空穴对的产生率计算公式。
查看完整题目与答案
【单选题】高度大于()米大空间(中庭等)场所,应安装红外探测器或图像型火灾探测器
A.
8
B.
10
C.
12
D.
15
查看完整题目与答案
【判断题】有2个n-Si样品,甲的施主浓度高于乙的施主浓度。室温下,这2个n-Si样品些样品的电子浓度由高到低的顺序是甲乙 。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【单选题】对于半导体中的空穴运动,下面说法正确的是( )。
A.
空穴是共价键中价电子的运动,它是真实存在的。
B.
空穴是共价键中价电子的运动,运动方向与自由电子运动方向相反。
C.
空穴是共价键中价电子的运动,空穴的运动方向与自由电子运动一致
查看完整题目与答案
【单选题】自由电子带负电,空穴带正电。
A.
Yes
B.
No
查看完整题目与答案
【单选题】 选择题: 半导体中的空穴是 。
A.
半导体中的晶格缺陷形成的
B.
电子脱离共价键后留下的空位
C.
带正电的离子
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【判断题】P沟道增强型MOS管只有空穴参与导电。( )
A.
正确
B.
错误
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【单选题】变速器传动比大于1,其输出转速(),转矩()。
A.
增加,降低
B.
降低,增加
C.
先增加,后降低
D.
不变
查看完整题目与答案
汽车驾驶员考试>汽车驾驶员中级工考试考试题目
【单选题】拉出值最大不应大于()mm。
A.
400
B.
450
C.
470
D.
475
查看完整题目与答案
接触网工综合练习考试题目
【简答题】【名词解释】空穴
查看完整题目与答案
【判断题】P型半导体中的空穴多于自由电子,是否意味着带正电?
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【单选题】15MPa,消火栓间距不大于( )m。
A.
20
B.
40
C.
60
D.
80
查看完整题目与答案
【多选题】玻尔兹曼分布时空穴占据(E F +5k 0 T)能级的概率__________。
A.
大于费米分布时电子占据(E F +5k 0 T)能级的概率
B.
小于费米分布时空穴占据(E F +5k 0 T)能级的概率
C.
小于玻尔兹曼分布时电子占据(E F +5k 0 T)能级的概率
D.
大于费米分布时电子占据E F 能级的概率
E.
大于费米分布时空穴占据E F 能级的概率
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相关题目:
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A.
正确
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A.
正确
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A.
38
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30
C.
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A.
正确
B.
错误
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【单选题】对于半导体中的空穴运动,下面说法正确的是( )。
A.
空穴是共价键中价电子的运动,它是真实存在的。
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空穴是共价键中价电子的运动,运动方向与自由电子运动方向相反。
C.
空穴是共价键中价电子的运动,空穴的运动方向与自由电子运动一致
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【单选题】自由电子带负电,空穴带正电。
A.
Yes
B.
No
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【单选题】 选择题: 半导体中的空穴是 。
A.
半导体中的晶格缺陷形成的
B.
电子脱离共价键后留下的空位
C.
带正电的离子
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【判断题】P沟道增强型MOS管只有空穴参与导电。( )
A.
正确
B.
错误
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【单选题】变速器传动比大于1,其输出转速(),转矩()。
A.
增加,降低
B.
降低,增加
C.
先增加,后降低
D.
不变
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【单选题】拉出值最大不应大于()mm。
A.
400
B.
450
C.
470
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A.
20
B.
40
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【多选题】玻尔兹曼分布时空穴占据(E F +5k 0 T)能级的概率__________。
A.
大于费米分布时电子占据(E F +5k 0 T)能级的概率
B.
小于费米分布时空穴占据(E F +5k 0 T)能级的概率
C.
小于玻尔兹曼分布时电子占据(E F +5k 0 T)能级的概率
D.
大于费米分布时电子占据E F 能级的概率
E.
大于费米分布时空穴占据E F 能级的概率
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