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【单选题】

在____中,空穴浓度大于电子浓度。

A.
本征半导体
B.
不存在
C.
N 型半导体
D.
P 型半导体
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举一反三

【单选题】对于半导体中的空穴运动,下面说法正确的是( )。

A.
空穴是共价键中价电子的运动,它是真实存在的。
B.
空穴是共价键中价电子的运动,运动方向与自由电子运动方向相反。
C.
空穴是共价键中价电子的运动,空穴的运动方向与自由电子运动一致

【单选题】‍ ‍ 选择题: ‍ ‍ 半导体中的空穴是 。

A.
半导体中的晶格缺陷形成的
B.
电子脱离共价键后留下的空位
C.
带正电的离子

【多选题】玻尔兹曼分布时空穴占据(E F +5k 0 T)能级的概率__________。

A.
大于费米分布时电子占据(E F +5k 0 T)能级的概率
B.
小于费米分布时空穴占据(E F +5k 0 T)能级的概率
C.
小于玻尔兹曼分布时电子占据(E F +5k 0 T)能级的概率
D.
大于费米分布时电子占据E F 能级的概率
E.
大于费米分布时空穴占据E F 能级的概率
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A.
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C.
空穴是共价键中价电子的运动,空穴的运动方向与自由电子运动一致
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A.
半导体中的晶格缺陷形成的
B.
电子脱离共价键后留下的空位
C.
带正电的离子
【多选题】玻尔兹曼分布时空穴占据(E F +5k 0 T)能级的概率__________。
A.
大于费米分布时电子占据(E F +5k 0 T)能级的概率
B.
小于费米分布时空穴占据(E F +5k 0 T)能级的概率
C.
小于玻尔兹曼分布时电子占据(E F +5k 0 T)能级的概率
D.
大于费米分布时电子占据E F 能级的概率
E.
大于费米分布时空穴占据E F 能级的概率
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