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【简答题】
假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散，从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm-2。
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举一反三
【单选题】LPCVD淀积多晶硅常用温度为600-650℃，采用热分解法，反应方程式为：（ ）。
A.
SiCl4 → Si+2Cl2
B.
Si3N4→3Si+2N2
C.
SiH4 →Si+2H2
D.
SiH2Cl2→Si+Cl2+H2
【单选题】属于化学气相淀积的是( ) ( 1 )蒸发 ( 2 )溅射 ( 3 )硅烷热分解淀积多晶硅 ( 4 )硅烷氧化生成 SiO 2
A.
⑴⑵
B.
⑴⑶
C.
⑵⑷
D.
⑶ ⑷
【多选题】在半导体工艺中，淀积的薄膜层应满足的参数包含有（）。
A.
均匀性
B.
表面平整度
C.
自由应力
D.
纯净度
E.
电容
【单选题】LPCVD-SiO2，将工艺控制在较高温度，有：ks>hg，此时淀积速率的特点为（）
A.
反应剂气体浓度的变化对淀积速率的影响不大
B.
温度的较都会对淀积速率有较大影响
C.
淀积速率受气相质量输运控制
D.
淀积速率受表面化学反应控制
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SiH4 →Si+2H2
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A.
⑴⑵
B.
⑴⑶
C.
⑵⑷
D.
⑶ ⑷
【多选题】在半导体工艺中，淀积的薄膜层应满足的参数包含有（）。
A.
均匀性
B.
表面平整度
C.
自由应力
D.
纯净度
E.
电容
【单选题】LPCVD-SiO2，将工艺控制在较高温度，有：ks>hg，此时淀积速率的特点为（）
A.
反应剂气体浓度的变化对淀积速率的影响不大
B.
温度的较都会对淀积速率有较大影响
C.
淀积速率受气相质量输运控制
D.
淀积速率受表面化学反应控制
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