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【简答题】
假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散,从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm
-2
。
题目标签:
淀积
固溶度
总剂量
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参考答案:
举一反三
【简答题】sio2的残留,二三氧化物及腐殖质淋溶及淀积的过程指的是
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【简答题】杂质固溶度
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【简答题】热分解化学气相淀积二氧化硅是利用()化合物,经过热分解反应,在基片表面淀积二氧化硅。
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【简答题】二氧化硅的制备方法很多,其中最常用的是高温()、()淀积、PECVD淀积。
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【多选题】在半导体工艺中,淀积的薄膜层应满足的参数包含有()。
A.
均匀性
B.
表面平整度
C.
自由应力
D.
纯净度
E.
电容
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集成电路制造工艺员>集成电路制造工艺员(三级)考试题目
【简答题】采用LPCVD TEOS淀积的是什么膜?这层膜的优点是什么?
查看完整题目与答案
【单选题】LPCVD-SiO2,将工艺控制在较高温度,有:ks>hg,此时淀积速率的特点为()
A.
反应剂气体浓度的变化对淀积速率的影响不大
B.
温度的较小变化都会对淀积速率有较大影响
C.
淀积速率受气相质量输运控制
D.
淀积速率受表面化学反应控制
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【填空题】二氧化硅的制备方法很多,其中最常用的是高温()、()淀积、PECVD淀积。
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半导体芯片制造工>半导体芯片制造高级工考试题目
【单选题】通过气态物质的化学反应在晶圆表面淀积一层固态薄膜的工艺称为()。
A.
热氧化
B.
物理气相淀积
C.
等离子淀积
D.
化学气相淀积
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