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举一反三
【单选题】异质结的超注入现象是指？
A.
在异质 pn 结中，由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的少数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度 。
B.
在异质 pn 结中， 由窄禁带半导体注入到宽禁带半导体中的少数载流子浓度可超过窄禁带半导体中多数载流子的浓度 。
C.
在异质 pn 结中，宽禁带半导体的少数载流子注入到窄禁带半导体中，其浓度超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度 。
D.
在异质 pn 结中，由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的多数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度 。
【多选题】在异质结的界面处引入界面态的原因包括:
A.
材料表面的原子重构
B.
由于两种材料热膨胀系数不同，在高温下引入界面态
C.
在异质结的两种半导体材料界面处存在晶格失配
D.
化合物半导体构成的异质结中，由于成分元素的互扩散，引入界面态
【多选题】在异质结的界面处引入界面态的原因包括：
A.
在异质结的两种半导体材料界面处存在晶格失配
B.
由于两种材料热膨胀系数不同，在高温下引入界面态
C.
化合物半导体构成的异质结中，由于成分元素的互扩散，引入界面态
D.
材料表面的化学吸附
E.
材料表面的原子重构
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A.
在异质 pn 结中，由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的少数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度 。
B.
在异质 pn 结中， 由窄禁带半导体注入到宽禁带半导体中的少数载流子浓度可超过窄禁带半导体中多数载流子的浓度 。
C.
在异质 pn 结中，宽禁带半导体的少数载流子注入到窄禁带半导体中，其浓度超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度 。
D.
在异质 pn 结中，由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的多数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度 。
【多选题】在异质结的界面处引入界面态的原因包括:
A.
材料表面的原子重构
B.
由于两种材料热膨胀系数不同，在高温下引入界面态
C.
在异质结的两种半导体材料界面处存在晶格失配
D.
化合物半导体构成的异质结中，由于成分元素的互扩散，引入界面态
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在异质结的两种半导体材料界面处存在晶格失配
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由于两种材料热膨胀系数不同，在高温下引入界面态
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化合物半导体构成的异质结中，由于成分元素的互扩散，引入界面态
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E.
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