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【简答题】

刻蚀有干法刻蚀和( )。

题目标签：干法刻蚀刻蚀
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【判断题】硅的湿法刻蚀腐蚀液为热磷酸，干法刻蚀所用的气体为NF3。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【简答题】刻蚀有哪些参数？
查看完整题目与答案

【判断题】干法刻蚀工艺中不存在化学反应。( )
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【简答题】干法刻蚀的方式主要有：溅射刻蚀、等离子体刻蚀、 刻蚀三种。（写文字）
查看完整题目与答案

【简答题】干法刻蚀有高的还是低的选择比？
查看完整题目与答案

【判断题】干法刻蚀速率越快越好
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【单选题】SCHMID刻蚀机酸洗的作用是
A.
稀释碱
B.
去PSG（磷硅玻璃）丨稀释酸丨腐蚀硅片表面
查看完整题目与答案

【简答题】刻蚀分为湿法刻蚀和________刻蚀
查看完整题目与答案

【简答题】简述干法刻蚀的应用
查看完整题目与答案

【多选题】与干法刻蚀相比湿法刻蚀的优点包括______。
A.
能去除背面的N型硅
B.
硅片洁净度提高
C.
节约用水
D.
碎片率低
查看完整题目与答案

【简答题】刻蚀有干法刻蚀和( )。
查看完整题目与答案

【单选题】下列刻蚀方法中不属于干法刻蚀的是( )
A.
等离子刻蚀
B.
溅射刻蚀
C.
缺陷腐蚀
D.
反应离子刻蚀
查看完整题目与答案

【简答题】干法刻蚀的目的是什么？例举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点。干法刻蚀的不足之处是什么？
查看完整题目与答案

【简答题】刻蚀模
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【单选题】Rena刻蚀HIKUPERC的减薄量范围为（）
A.
0.15±0.04g
B.
0.3±0.05g
C.
0.8±0.05g
D.
0.5±0.08g
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【简答题】什么是刻蚀？
查看完整题目与答案

【单选题】湿法刻蚀与干法刻蚀的比较错误的是
A.
湿法刻蚀是各向同性的，干法刻蚀是各向异性的
B.
湿法刻蚀由于存在侧蚀现象，不宜制作很微细的图形
C.
干法刻蚀效果好，但工艺要求
D.
干法和湿法刻蚀都不存在晶体缺陷和污染等物理损伤
查看完整题目与答案

【单选题】Rena刻蚀边缘电阻为（）
A.
＜1KΩ
B.
＝1KΩ
C.
＞1KΩ
D.
≤1KΩ
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【简答题】湿法刻蚀有什么缺点？
查看完整题目与答案
集成电路技术综合练习考试题目

【简答题】什么是干法刻蚀？什么是湿法刻蚀？比较二者的优缺点。
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稀释碱
B.
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B.
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C.
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0.8±0.05g
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A.
湿法刻蚀是各向同性的，干法刻蚀是各向异性的
B.
湿法刻蚀由于存在侧蚀现象，不宜制作很微细的图形
C.
干法刻蚀效果好，但工艺要求
D.
干法和湿法刻蚀都不存在晶体缺陷和污染等物理损伤
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A.
＜1KΩ
B.
＝1KΩ
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