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【判断题】

N沟道耗尽型MOS管可以工作在UGS£0或UGS>0

A.
正确
B.
错误
题目标签：耗尽型沟道
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参考答案：
举一反三

【判断题】结型场效应管均为耗尽型。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【单选题】N沟道JFET的跨导 是
A.
一个固定值
B.
随电源电压 增大而增大
C.
随静态栅源电压 增大而增大
D.
随静态栅源电压 增大而减小
查看完整题目与答案

【简答题】某MOSFET的IDSS=10mA且UP=－8V。（1）此元件是P沟道还是N沟道？（2）计算UGS=－3V是的ID；（3）计算UGS=3V时的ID。
查看完整题目与答案

【多选题】N沟道推挽驱动器()
A.
需要二个N沟道器件
B.
实现正负电压驱动
C.
控制较简单
D.
需要一个电平转换器
查看完整题目与答案

【判断题】衬底为 P 型硅片的 MOS 管就是 P 沟道 MOS 管
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【单选题】排水沟道的主要任务是（）
A.
排除地面余水和降低地下水位
B.
滞蓄涝水
C.
引水灌溉和交通运输
D.
水产养殖
查看完整题目与答案
水利部质量检测员考试>灌排工程工考试题目

【判断题】排水沟道的主要任务是水产养殖
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【简答题】什么是排水沟道的糙率？
查看完整题目与答案

【多选题】生产厂房内外工作场所的（ ）或沟道必须覆以与地面齐平的坚固的盖板。
A.
井
B.
坑
C.
孔
D.
洞
查看完整题目与答案

【判断题】常用的电力MOSFET是P沟道增强型
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【判断题】若耗尽型N沟道MOS管的VGS大于零，其输入电阻不会明显变小。（ ）
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【简答题】沟道电导调制
查看完整题目与答案

【单选题】下列不属于水土保持工程措施沟道工程的是（）。
A.
沟头防护工程
B.
谷坊
C.
涝池
D.
淤地坝
查看完整题目与答案

【单选题】场效应管按性能分为耗尽型和（）。
A.
绝缘栅型
B.
耗尽型
C.
增强型
查看完整题目与答案

【简答题】耗尽型NMOS管
查看完整题目与答案

【判断题】NMOS是在N阱上形成P沟道的MOSFET晶体管。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【判断题】若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【单选题】使N沟道耗尽型MOS管导电沟道被夹断的条件是_____。
A.
u G S 大于 U GS ( th ) U G S ( t h )
B.
u G S 小于 U GS ( th )
C.
u G S 大于 U GS ( off )
D.
u G S 小于 U GS ( off )
查看完整题目与答案

【单选题】对于耗尽型MOSFET，工作在恒流区时，VGS_________
A.
>0
B.
<0
C.
=VDD
D.
任意
查看完整题目与答案

【简答题】[名词解释] 沟道电导调制效应
查看完整题目与答案
物理学>半导体材料考试题目
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随电源电压 增大而增大
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需要二个N沟道器件
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实现正负电压驱动
C.
控制较简单
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A.
正确
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排除地面余水和降低地下水位
B.
滞蓄涝水
C.
引水灌溉和交通运输
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正确
B.
错误
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A.
井
B.
坑
C.
孔
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洞
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正确
B.
错误
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A.
正确
B.
错误
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【单选题】下列不属于水土保持工程措施沟道工程的是（）。
A.
沟头防护工程
B.
谷坊
C.
涝池
D.
淤地坝
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A.
绝缘栅型
B.
耗尽型
C.
增强型
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A.
正确
B.
错误
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A.
正确
B.
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【单选题】使N沟道耗尽型MOS管导电沟道被夹断的条件是_____。
A.
u G S 大于 U GS ( th ) U G S ( t h )
B.
u G S 小于 U GS ( th )
C.
u G S 大于 U GS ( off )
D.
u G S 小于 U GS ( off )
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>0
B.
<0
C.
=VDD
D.
任意
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