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【单选题】
为减少固定电荷密度和快界面态的影响，在制备MOS器件时通常选择硅单晶的方向为（）
A.
【100】
B.
【111】
C.
【110】
D.
【111】或【110】
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举一反三
【单选题】净线电荷密度为的长直导线中通一电流，距离直导线为处有一以速度为、方向平行于直导线且向上的运动电荷。若假设电荷仅受到直导线的净电荷和电流的作用，而且电荷的速度远小于光速。若直导线上的电流增大到，为了使电荷离开直导线的距离维持不变而且保持直线路径，在电流变化的同时，电荷应如何变化（ ）
A.
只要线电荷密度
加倍
加倍B.
加一个方向平行于导线的磁场
C.
只要电荷
的电量加倍
的电量加倍D.
电荷
的速度加倍
的速度加倍【单选题】无穷大平面1的面电荷密度为+σ，无穷大平面2的面电荷密度为-σ。当这两个无穷大平面平行放置时，电场强度的大小是：
A.
两平面内部是 2 σ / ε 0 ，外部是 0
B.
两平面内部是σ / ε 0 ，外部是 0
C.
两平面内部外部都是 0
D.
两平面内部外部都是±σ / ε 0
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A.
只要线电荷密度
加倍
加倍B.
加一个方向平行于导线的磁场
C.
只要电荷
的电量加倍
的电量加倍D.
电荷
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A.
两平面内部是 2 σ / ε 0 ，外部是 0
B.
两平面内部是σ / ε 0 ，外部是 0
C.
两平面内部外部都是 0
D.
两平面内部外部都是±σ / ε 0
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