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【单选题】

若一长沟道NMOSFET,将其沟道长度缩小为原来的一半(不考虑短沟道效应),而其他尺寸,掺杂浓度,外加偏压均保持不变,则下列说法错误的是

A.
阈值电压不变
B.
饱和漏电流增加
C.
导通电阻变小
D.
最高振荡频率变小
题目标签：加偏压短沟道沟道效应
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参考答案：
举一反三

【判断题】硅光电池需要加偏压才能把光能转换成电能。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【简答题】什么是沟道效应？
查看完整题目与答案

【简答题】2．为什么加偏压的肖特基势垒能带图中qb几乎不变．
查看完整题目与答案

【单选题】对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面从多子耗尽状态到少子反型状态的过渡状态是？
A.
本征状态
B.
平坦能带状态
C.
多子积累状态
D.
深耗尽状态
查看完整题目与答案

【单选题】在电离辐射的照射下SiO2层产生电子-空穴对，在外加偏压作用下 会向 偏移，而在SiO2层中留下 ，因此在 会形成电离陷阱（）。
A.
空穴，正极，电子，负极
B.
空穴，负极，电子，正极
C.
电子，正极，空穴，负极
D.
电子，负极，空穴，正极
查看完整题目与答案

【填空题】若光电检测器不加偏压、则会出现（）和（）两大弊病。
查看完整题目与答案
传输线路维护人员考试>光缆通信考试题目

【简答题】硅、锗PN结各一，其掺杂浓度均为NA=1818cm-3、ND=1015cm-3，N区的寿命tp=10-5s，且Wn＞LP，300K下N型锗中Dp=45cm2/s，N型硅中Dp=13cm2/s，求外加偏压为-5V时，反向饱和电流和势垒区产生电流各位多少？从中可以得到什么结论？
查看完整题目与答案

【判断题】即使在外加偏压下，pn结仍然有统一的费米能级。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【判断题】伴生电场和外加偏压密切相关,外加偏压撤除,伴生电场随之消失。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面少子浓度比体内的多子浓度还要高时，处于哪种状态？
A.
少子反型
B.
多子积累
C.
多子耗尽
D.
本征状态
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【单选题】对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面从多子耗尽状态到少子反型状态的过渡状态是？
A.
本征状态
B.
平坦能带状态
C.
多子积累状态
D.
深耗尽状态
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A.
空穴，正极，电子，负极
B.
空穴，负极，电子，正极
C.
电子，正极，空穴，负极
D.
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A.
正确
B.
错误
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A.
正确
B.
错误
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A.
少子反型
B.
多子积累
C.
多子耗尽
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