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【单选题】
对于半导体中的空穴运动,下面说法正确的是( )。
A.
空穴是共价键中价电子的运动,它是真实存在的。
B.
空穴是共价键中价电子的运动,运动方向与自由电子运动方向相反。
C.
空穴是共价键中价电子的运动,空穴的运动方向与自由电子运动一致
题目标签:
半导体
空穴
运动
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参考答案:
举一反三
【判断题】活塞从上止点运动到下止点所移动的距离叫工作容积。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【判断题】半导体中的空穴芾正电。()
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【多选题】光纤通信系统使用的半导体光源主要有( )
A.
半导体激光器
B.
光电二极管
C.
半导体发光二极管
D.
雪崩光电二极管
查看完整题目与答案
【判断题】P型半导体又称空穴型半导体。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【单选题】在下列关于肌的起止、运动的描述中,以下哪项是错误的()
A.
运动时,多以起点为动点
B.
肌的起止点是相对的,可以互换
C.
四肢肌的起点多相对靠近肢体的近端
D.
躯干肌的止点多相对远离身体的正中线
E.
一块肌的起止点间可跨过多个关节
查看完整题目与答案
疼痛诊疗学(医学高级)>二、解剖学考试题目
【判断题】P型半导体空穴数远多于自由电子数
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【单选题】体侧运动第一个八拍的第二拍手掌的方向。
A.
向里
B.
向外
C.
向前
查看完整题目与答案
【简答题】简述电子-空穴对的产生率计算公式。
查看完整题目与答案
【多选题】发光二极管(LED)是电致发光的固体半导体高亮度光源,其特点有( )。
A.
使用寿命长
B.
显色指数高
C.
无紫外和红外辐射
D.
能在低电压下工作
查看完整题目与答案
【多选题】金属和半导体接触分包括:( )
A.
整流的欧姆接触
B.
整流的肖特基接触
C.
非整流的欧姆接触
D.
非整流的肖特基接触
查看完整题目与答案
【单选题】对于半导体中的空穴运动,下面说法正确的是( )。
A.
空穴是共价键中价电子的运动,它是真实存在的。
B.
空穴是共价键中价电子的运动,运动方向与自由电子运动方向相反。
C.
空穴是共价键中价电子的运动,空穴的运动方向与自由电子运动一致
查看完整题目与答案
【单选题】 选择题: 半导体中的空穴是 。
A.
半导体中的晶格缺陷形成的
B.
电子脱离共价键后留下的空位
C.
带正电的离子
查看完整题目与答案
【简答题】怎样理解戊戌变法运动的进步意义和历史局限性?
查看完整题目与答案
【判断题】P沟道增强型MOS管只有空穴参与导电。( )
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【多选题】Z37摇臂钻床的辅助运动有
A.
摇臂绕立柱的旋转
B.
摇臂沿着立柱的升降
C.
主轴箱沿着摇臂的移动
D.
刀具沿着主轴的上下移动
查看完整题目与答案
【简答题】【名词解释】空穴
查看完整题目与答案
【单选题】集成电路发明者之一,英特尔公司、仙童半导体公司共同创始人是?
A.
利
B.
贝尔
C.
洛克
D.
罗伯特诺伊斯
查看完整题目与答案
【判断题】P型半导体中的空穴多于自由电子,是否意味着带正电?
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【多选题】玻尔兹曼分布时空穴占据(E F +5k 0 T)能级的概率__________。
A.
大于费米分布时电子占据(E F +5k 0 T)能级的概率
B.
小于费米分布时空穴占据(E F +5k 0 T)能级的概率
C.
小于玻尔兹曼分布时电子占据(E F +5k 0 T)能级的概率
D.
大于费米分布时电子占据E F 能级的概率
E.
大于费米分布时空穴占据E F 能级的概率
查看完整题目与答案
【判断题】半导体锗和硅都是晶体结构,所以半导体管又称为晶体管。
A.
正确
B.
错误
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A.
正确
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A.
半导体激光器
B.
光电二极管
C.
半导体发光二极管
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A.
运动时,多以起点为动点
B.
肌的起止点是相对的,可以互换
C.
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D.
躯干肌的止点多相对远离身体的正中线
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B.
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D.
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A.
整流的欧姆接触
B.
整流的肖特基接触
C.
非整流的欧姆接触
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非整流的肖特基接触
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A.
空穴是共价键中价电子的运动,它是真实存在的。
B.
空穴是共价键中价电子的运动,运动方向与自由电子运动方向相反。
C.
空穴是共价键中价电子的运动,空穴的运动方向与自由电子运动一致
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【单选题】 选择题: 半导体中的空穴是 。
A.
半导体中的晶格缺陷形成的
B.
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C.
带正电的离子
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【判断题】P沟道增强型MOS管只有空穴参与导电。( )
A.
正确
B.
错误
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A.
摇臂绕立柱的旋转
B.
摇臂沿着立柱的升降
C.
主轴箱沿着摇臂的移动
D.
刀具沿着主轴的上下移动
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【简答题】【名词解释】空穴
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A.
利
B.
贝尔
C.
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A.
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【多选题】玻尔兹曼分布时空穴占据(E F +5k 0 T)能级的概率__________。
A.
大于费米分布时电子占据(E F +5k 0 T)能级的概率
B.
小于费米分布时空穴占据(E F +5k 0 T)能级的概率
C.
小于玻尔兹曼分布时电子占据(E F +5k 0 T)能级的概率
D.
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E.
大于费米分布时空穴占据E F 能级的概率
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【判断题】半导体锗和硅都是晶体结构,所以半导体管又称为晶体管。
A.
正确
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错误
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