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【简答题】

硅的禁带宽度Eg=1.1eV，当掺入少量杂质磷(△ED=0.045eV)后，产生一杂质能级，试画出这一杂质半导体的能带图?并分别求出该杂质半导体的本征吸收与杂质吸收的长波限?

题目标签：本征吸收杂质半导体杂质能级
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参考答案：
举一反三

【单选题】如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央，则它对电子的俘获率（）空穴的俘获率。
A.
大于
B.
等于
C.
小于
D.
有效的复合中心
查看完整题目与答案

【单选题】以下哪项属于本征吸收损耗（）。
A.
紫外吸收
B.
OH-离子吸收
C.
过渡金属离子吸收
D.
原子缺陷吸收
查看完整题目与答案
移动通信机务员鉴定>光纤数字通信调试工考试考试题目

【单选题】​位于费米能级附近的杂质能级是有效的陷阱能级。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【多选题】关于本征吸收，以下说法正确的是？
A.
产生本征吸收的条件是入射光子能量大于等于材料的禁带宽度
B.
产生本征吸收的条件是入射光子能量小于等于材料的禁带宽度
C.
是电子从价带到导带的跃迁，产生电子-空穴对
D.
是电子从导带到价带的跃迁，并伴随发射光子能量
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【单选题】本征吸收损耗主要包括：（）。
A.
红外吸收损耗、杂质吸收损耗
B.
紫外吸收损耗、杂质吸收损耗
C.
原子缺陷吸收损耗、红外吸收损耗
D.
紫外吸收损耗、红外吸收损耗
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【判断题】杂质能级与价带中的能级相同。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【简答题】什么是杂质能级，其特点如何?
查看完整题目与答案

【简答题】P型掺杂半导体形成( )杂质能级,N型掺杂半导体形成( )杂质能级。
查看完整题目与答案

【简答题】说明杂质能级以及电离能的物理意义。为什么受主、施主能级分别位于价带之上或导带之下，而且电离能的数值较小？
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【简答题】推导：当入射强度为I0的光撞击透明材料(长度为l)的前表面时，在样品表面出射的透射束强度： It=I0(1-R)2e-βl 式中，R为反射率；β为材料本征吸收系数。样品前后表面外的介质是相同的。
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B.
等于
C.
小于
D.
有效的复合中心
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A.
紫外吸收
B.
OH-离子吸收
C.
过渡金属离子吸收
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A.
正确
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A.
产生本征吸收的条件是入射光子能量大于等于材料的禁带宽度
B.
产生本征吸收的条件是入射光子能量小于等于材料的禁带宽度
C.
是电子从价带到导带的跃迁，产生电子-空穴对
D.
是电子从导带到价带的跃迁，并伴随发射光子能量
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A.
红外吸收损耗、杂质吸收损耗
B.
紫外吸收损耗、杂质吸收损耗
C.
原子缺陷吸收损耗、红外吸收损耗
D.
紫外吸收损耗、红外吸收损耗
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A.
正确
B.
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