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【简答题】
证明一维晶格结构因子S的第一个非零极大值为S2=0.04N2,其中N是一维原胞的总数。
题目标签:
晶格结构
一维晶格
结构因子
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参考答案:
举一反三
【单选题】分子筛是一种具有晶格结构的()
A.
硅酸铝
B.
结晶盐类
C.
硅铝酸盐
D.
担体
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【简答题】一维晶格的布里渊区( )相等
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【单选题】晶格常数为a的一维晶格,总原胞数为N,以下描述错误的是()
A.
由于晶格周期性,如果x处电子能量本征函数为 ,则x+a处的波函数仍为 。
B.
如果x处电子波函数为 ,有
C.
由于晶格周期性,电子在x处与x+a处电子的概率分布是相同的。
D.
由于晶格周期性,如果势函数为U,有
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【简答题】除结构因子外,影响衍射强度因子包括()
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【单选题】设晶格常数为 a的一维晶格,导带极小值附近能量和价带极大值附近能量分别为,式中,为电子惯性质量,=π/a,a=0.314nm。试求价带顶电子有效质量为
A.
B.
C.
D.
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【单选题】强度与结构因子的平方成()比关系
A.
反
B.
正
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【简答题】设晶格常数为a的一维晶格,导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为: 价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化
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【简答题】【名词解释】晶格结构
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【判断题】产生衍射的必要条件是结构因子不为 0 。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【单选题】什么是超晶格结构?
A.
两种禁带宽度不同或掺杂类型不同的超薄层周期性地重叠,每层材料(势阱和势垒)的厚度都很薄,都可以和电子的德布罗意波长相比,称这种结构为超晶格结构。
B.
双异质结形成的结构,如 AlxGa1-xAs/GaAs /AlxGa1-xAs结构。
C.
两种不同的半导体薄层周期性地重叠,若窄带材料(势阱)的厚度很小,可以和电子的德布罗意波长相比,而宽带材料(势垒)的厚度较大,称这种结构为超晶格结构。
D.
能够对电子(空穴)的运动产生某种约束,使其能量量子化的势场就是超晶格结构。
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A.
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B.
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A.
由于晶格周期性,如果x处电子能量本征函数为 ,则x+a处的波函数仍为 。
B.
如果x处电子波函数为 ,有
C.
由于晶格周期性,电子在x处与x+a处电子的概率分布是相同的。
D.
由于晶格周期性,如果势函数为U,有
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A.
两种禁带宽度不同或掺杂类型不同的超薄层周期性地重叠,每层材料(势阱和势垒)的厚度都很薄,都可以和电子的德布罗意波长相比,称这种结构为超晶格结构。
B.
双异质结形成的结构,如 AlxGa1-xAs/GaAs /AlxGa1-xAs结构。
C.
两种不同的半导体薄层周期性地重叠,若窄带材料(势阱)的厚度很小,可以和电子的德布罗意波长相比,而宽带材料(势垒)的厚度较大,称这种结构为超晶格结构。
D.
能够对电子(空穴)的运动产生某种约束,使其能量量子化的势场就是超晶格结构。
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