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【简答题】

证明一维晶格结构因子S的第一个非零极大值为S2=0.04N2,其中N是一维原胞的总数。

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举一反三

【单选题】晶格常数为a的一维晶格,总原胞数为N,以下描述错误的是()

A.
由于晶格周期性,如果x处电子能量本征函数为 ,则x+a处的波函数仍为 。
B.
如果x处电子波函数为 ,有
C.
由于晶格周期性,电子在x处与x+a处电子的概率分布是相同的。
D.
由于晶格周期性,如果势函数为U,有

【单选题】什么是超晶格结构?

A.
两种禁带宽度不同或掺杂类型不同的超薄层周期性地重叠,每层材料(势阱和势垒)的厚度都很薄,都可以和电子的德布罗意波长相比,称这种结构为超晶格结构。
B.
双异质结形成的结构,如 AlxGa1-xAs/GaAs /AlxGa1-xAs结构。
C.
两种不同的半导体薄层周期性地重叠,若窄带材料(势阱)的厚度很小,可以和电子的德布罗意波长相比,而宽带材料(势垒)的厚度较大,称这种结构为超晶格结构。
D.
能够对电子(空穴)的运动产生某种约束,使其能量量子化的势场就是超晶格结构。
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A.
由于晶格周期性,如果x处电子能量本征函数为 ,则x+a处的波函数仍为 。
B.
如果x处电子波函数为 ,有
C.
由于晶格周期性,电子在x处与x+a处电子的概率分布是相同的。
D.
由于晶格周期性,如果势函数为U,有
【单选题】什么是超晶格结构?
A.
两种禁带宽度不同或掺杂类型不同的超薄层周期性地重叠,每层材料(势阱和势垒)的厚度都很薄,都可以和电子的德布罗意波长相比,称这种结构为超晶格结构。
B.
双异质结形成的结构,如 AlxGa1-xAs/GaAs /AlxGa1-xAs结构。
C.
两种不同的半导体薄层周期性地重叠,若窄带材料(势阱)的厚度很小,可以和电子的德布罗意波长相比,而宽带材料(势垒)的厚度较大,称这种结构为超晶格结构。
D.
能够对电子(空穴)的运动产生某种约束,使其能量量子化的势场就是超晶格结构。
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