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【简答题】
若在禁带中心E存在单能级的快界面态(即E t =E i )，其密度为N st cm -2 。设载流子填充快界面态遵从费米统计分布，试证明界面态电容C ss (V s )为 式中
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举一反三
【单选题】界面态密度随晶体取向而变，对于硅晶体，界面态密度按（）顺序而变。
A.
（ 111 ） ＜ （ 100 ） ＜ （ 110 ）
B.
（ 100 ） ＜ （ 110 ） ＜ （ 111 ）
C.
（ 110 ） ＜ （ 100 ） ＜ （ 111 ）
D.
（ 101 ） ＜ （ 110 ） ＜ （ 111 ）
【多选题】在异质结的界面处引入界面态的原因包括:
A.
材料表面的原子重构
B.
由于两种材料热膨胀系数不同，在高温下引入界面态
C.
在异质结的两种半导体材料界面处存在晶格失配
D.
化合物半导体构成的异质结中，由于成分元素的互扩散，引入界面态
【单选题】快界面态可以在很短时间内和半导体交换电荷，它位于（）。
A.
Si - Si O 2 界面
B.
空气 - Si O 2 界面
C.
Si 内部
D.
Si O 2 内部
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（ 111 ） ＜ （ 100 ） ＜ （ 110 ）
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（ 100 ） ＜ （ 110 ） ＜ （ 111 ）
C.
（ 110 ） ＜ （ 100 ） ＜ （ 111 ）
D.
（ 101 ） ＜ （ 110 ） ＜ （ 111 ）
【多选题】在异质结的界面处引入界面态的原因包括:
A.
材料表面的原子重构
B.
由于两种材料热膨胀系数不同，在高温下引入界面态
C.
在异质结的两种半导体材料界面处存在晶格失配
D.
化合物半导体构成的异质结中，由于成分元素的互扩散，引入界面态
【单选题】快界面态可以在很短时间内和半导体交换电荷，它位于（）。
A.
Si - Si O 2 界面
B.
空气 - Si O 2 界面
C.
Si 内部
D.
Si O 2 内部
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