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【简答题】

其中Σ为柱面x2+y2=9与平面z=0,z=y-3所围成的区域的边界面的外侧,利用高斯公式计算曲面积分。

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刷刷题
参考答案:
举一反三

【单选题】​2.笔帽抽取几何体以()为种子面,以()为边界面?​

A.
C、底面外侧 帽孔外侧
B.
A、底面内侧 帽孔内侧
C.
B、底面外侧 帽孔内侧
D.
D、底面内侧 帽孔外侧

【单选题】高斯公式中P、Q、R在空间闭区域上具有

A.
连续
B.
偏导数存在
C.
可微分
D.
一阶连续偏导数

【多选题】利用高斯法进行潮流计算,以下说法正确的是?()

A.
阻抗矩阵法收敛性比导纳矩阵收敛性好
B.
高斯法具有二阶收敛性
C.
导纳矩阵收敛性比阻抗矩阵法收敛性好
D.
高斯法具有一阶收敛性

【单选题】在利用高斯定理求场强时,高斯面上任意一点的场强

A.
只与高斯面内的电荷有关
B.
只与高斯面外的电荷有关
C.
与高斯面内、外的电荷都有关
D.
与高斯面内、外的电荷都无关
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A.
C、底面外侧 帽孔外侧
B.
A、底面内侧 帽孔内侧
C.
B、底面外侧 帽孔内侧
D.
D、底面内侧 帽孔外侧
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A.
连续
B.
偏导数存在
C.
可微分
D.
一阶连续偏导数
【多选题】利用高斯法进行潮流计算,以下说法正确的是?()
A.
阻抗矩阵法收敛性比导纳矩阵收敛性好
B.
高斯法具有二阶收敛性
C.
导纳矩阵收敛性比阻抗矩阵法收敛性好
D.
高斯法具有一阶收敛性
【单选题】在利用高斯定理求场强时,高斯面上任意一点的场强
A.
只与高斯面内的电荷有关
B.
只与高斯面外的电荷有关
C.
与高斯面内、外的电荷都有关
D.
与高斯面内、外的电荷都无关
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