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【判断题】
通常，超晶格结构是基于异质结设计的。
A.
对
B.
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举一反三
【单选题】什么是超晶格结构？
A.
两种禁带宽度不同或掺杂类型不同的超薄层周期性地重叠，每层材料（势阱和势垒）的厚度都很薄，都可以和电子的德布罗意波长相比，称这种结构为超晶格结构。
B.
两种不同的半导体薄层周期性地重叠，若窄带材料（势阱）的厚度很小，可以和电子的德布罗意波长相比，而宽带材料（势垒）的厚度较大，称这种结构为超晶格结构。
C.
能够对电子（空穴）的运动产生某种约束，使其能量量子化的势场就是超晶格结构。
D.
双异质结形成的结构，如 AlxGa1-xAs/GaAs /AlxGa1-xAs 结构。
【多选题】异质结能带结构的特点包括：
A.
在两种材料的交界面处，能带弯曲不连续，形成“凹口”和“尖峰” 。
B.
能带在交界面处，有一个突变（导带阶和价带阶）。
C.
能带的变化是连续的。
D.
能带的变化与两种材料的费米能级无关。
【单选题】什么是超晶格结构？
A.
两种禁带宽度不同或掺杂类型不同的超薄层周期性重叠，每层材料（势阱和势垒）的厚度都很薄，都可以和电子的德布罗意波长相比，称这种结构为超晶格结构。
B.
两种不同的半导体薄层周期性重叠，若窄带材料（势阱）的厚度很小，可以和电子的德布罗意波长相比，而宽带材料（势垒）的厚度较大，称这种结构为超晶格结构。
C.
能够对电子（空穴）的运动产生某种约束，使其能量量子化的势场就是超晶格结构。
D.
双异质结形成的结构，如 AlxGa1-xAs/GaAs /AlxGa1-xAs 结构。
【多选题】在异质结的界面处引入界面态的原因包括：
A.
在异质结的两种半导体材料界面处存在晶格失配
B.
由于两种材料热膨胀系数不同，在高温下引入界面态
C.
化合物半导体构成的异质结中，由于成分元素的互扩散，引入界面态
D.
材料表面的化学吸附
E.
材料表面的原子重构
【单选题】什么是超晶格结构?
A.
两种禁带宽度不同或掺杂类型不同的超薄层周期性地重叠，每层材料（势阱和势垒）的厚度都很薄，都可以和电子的德布罗意波长相比，称这种结构为超晶格结构。
B.
双异质结形成的结构，如 AlxGa1-xAs/GaAs /AlxGa1-xAs结构。
C.
两种不同的半导体薄层周期性地重叠，若窄带材料（势阱）的厚度很小，可以和电子的德布罗意波长相比，而宽带材料（势垒）的厚度较大，称这种结构为超晶格结构。
D.
能够对电子（空穴）的运动产生某种约束，使其能量量子化的势场就是超晶格结构。
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B.
两种不同的半导体薄层周期性地重叠，若窄带材料（势阱）的厚度很小，可以和电子的德布罗意波长相比，而宽带材料（势垒）的厚度较大，称这种结构为超晶格结构。
C.
能够对电子（空穴）的运动产生某种约束，使其能量量子化的势场就是超晶格结构。
D.
双异质结形成的结构，如 AlxGa1-xAs/GaAs /AlxGa1-xAs 结构。
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A.
在两种材料的交界面处，能带弯曲不连续，形成“凹口”和“尖峰” 。
B.
能带在交界面处，有一个突变（导带阶和价带阶）。
C.
能带的变化是连续的。
D.
能带的变化与两种材料的费米能级无关。
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两种禁带宽度不同或掺杂类型不同的超薄层周期性重叠，每层材料（势阱和势垒）的厚度都很薄，都可以和电子的德布罗意波长相比，称这种结构为超晶格结构。
B.
两种不同的半导体薄层周期性重叠，若窄带材料（势阱）的厚度很小，可以和电子的德布罗意波长相比，而宽带材料（势垒）的厚度较大，称这种结构为超晶格结构。
C.
能够对电子（空穴）的运动产生某种约束，使其能量量子化的势场就是超晶格结构。
D.
双异质结形成的结构，如 AlxGa1-xAs/GaAs /AlxGa1-xAs 结构。
【多选题】在异质结的界面处引入界面态的原因包括：
A.
在异质结的两种半导体材料界面处存在晶格失配
B.
由于两种材料热膨胀系数不同，在高温下引入界面态
C.
化合物半导体构成的异质结中，由于成分元素的互扩散，引入界面态
D.
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E.
材料表面的原子重构
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A.
两种禁带宽度不同或掺杂类型不同的超薄层周期性地重叠，每层材料（势阱和势垒）的厚度都很薄，都可以和电子的德布罗意波长相比，称这种结构为超晶格结构。
B.
双异质结形成的结构，如 AlxGa1-xAs/GaAs /AlxGa1-xAs结构。
C.
两种不同的半导体薄层周期性地重叠，若窄带材料（势阱）的厚度很小，可以和电子的德布罗意波长相比，而宽带材料（势垒）的厚度较大，称这种结构为超晶格结构。
D.
能够对电子（空穴）的运动产生某种约束，使其能量量子化的势场就是超晶格结构。
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