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【判断题】
P沟道增强型MOS管只有空穴参与导电。（ ）
A.
正确
B.
错误
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举一反三
【单选题】对于半导体中的空穴运动,下面说法正确的是( )。
A.
空穴是共价键中价电子的运动，它是真实存在的。
B.
空穴是共价键中价电子的运动，运动方向与自由电子运动方向相反。
C.
空穴是共价键中价电子的运动，空穴的运动方向与自由电子运动一致
【多选题】玻尔兹曼分布时空穴占据(E F +5k 0 T)能级的概率__________。
A.
大于费米分布时电子占据(E F +5k 0 T)能级的概率
B.
小于费米分布时空穴占据(E F +5k 0 T)能级的概率
C.
小于玻尔兹曼分布时电子占据(E F +5k 0 T)能级的概率
D.
大于费米分布时电子占据E F 能级的概率
E.
大于费米分布时空穴占据E F 能级的概率
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A.
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C.
空穴是共价键中价电子的运动，空穴的运动方向与自由电子运动一致
【多选题】玻尔兹曼分布时空穴占据(E F +5k 0 T)能级的概率__________。
A.
大于费米分布时电子占据(E F +5k 0 T)能级的概率
B.
小于费米分布时空穴占据(E F +5k 0 T)能级的概率
C.
小于玻尔兹曼分布时电子占据(E F +5k 0 T)能级的概率
D.
大于费米分布时电子占据E F 能级的概率
E.
大于费米分布时空穴占据E F 能级的概率
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