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【多选题】

关于电力MOSFET的反型层说法正确的是?

A.
反型层一旦形成,就不能恢复到初始状态了
B.
反型层是导电沟道的一部分,如果反型层是N型的,那么该器件为N型的。
C.
反型层是栅极贴片和主体的绝缘层
D.
当UGS大于某一电压值UT时,使P型半导体反型成N型半导体,从而构成反型层。
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举一反三

【单选题】对于增强型nmos,栅极电场把( )吸引到半导体表面,形成( )反型层,即导电沟道。

A.
p衬底中的电子,电子
B.
n衬底中的电子,电子
C.
p衬底中的空穴,空穴
D.
n衬底中的空穴,空穴

【单选题】反型层太阳电池的原理是()

A.
利用热氧化硅表面产生的反型层
B.
利用金属/半导体界面上的肖特基势垒
C.
金属一绝缘层—半导体结构

【多选题】关于电力MOSFET的反型层说法正确的是?

A.
反型层一旦形成,就不能恢复到初始状态了
B.
反型层是导电沟道的一部分,如果反型层是N型的,那么该器件为N型的。
C.
反型层是栅极贴片和主体的绝缘层
D.
当UGS大于某一电压值UT时,使P型半导体反型成N型半导体,从而构成反型层。
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p衬底中的空穴,空穴
D.
n衬底中的空穴,空穴
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A.
利用热氧化硅表面产生的反型层
B.
利用金属/半导体界面上的肖特基势垒
C.
金属一绝缘层—半导体结构
【多选题】关于电力MOSFET的反型层说法正确的是?
A.
反型层一旦形成,就不能恢复到初始状态了
B.
反型层是导电沟道的一部分,如果反型层是N型的,那么该器件为N型的。
C.
反型层是栅极贴片和主体的绝缘层
D.
当UGS大于某一电压值UT时,使P型半导体反型成N型半导体,从而构成反型层。
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