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【多选题】
关于电力MOSFET的反型层说法正确的是?
A.
反型层一旦形成,就不能恢复到初始状态了
B.
反型层是导电沟道的一部分,如果反型层是N型的,那么该器件为N型的。
C.
反型层是栅极贴片和主体的绝缘层
D.
当UGS大于某一电压值UT时,使P型半导体反型成N型半导体,从而构成反型层。
题目标签:
反型层
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参考答案:
举一反三
【简答题】[名词解释] 反型层电荷
查看完整题目与答案
物理学>半导体材料考试题目
【单选题】对于增强型nmos,栅极电场把( )吸引到半导体表面,形成( )反型层,即导电沟道。
A.
p衬底中的电子,电子
B.
n衬底中的电子,电子
C.
p衬底中的空穴,空穴
D.
n衬底中的空穴,空穴
查看完整题目与答案
【判断题】对于实际 的 MOSFET ,在 亚阈值区,反型层和漏源电流均不存在。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【单选题】反型层(或导电沟道)是衬底中的( )形成的。
A.
多子
B.
少子
查看完整题目与答案
【单选题】反型层太阳电池的原理是()
A.
利用热氧化硅表面产生的反型层
B.
利用金属/半导体界面上的肖特基势垒
C.
金属一绝缘层—半导体结构
查看完整题目与答案
【多选题】关于电力MOSFET的反型层说法正确的是?
A.
反型层一旦形成,就不能恢复到初始状态了
B.
反型层是导电沟道的一部分,如果反型层是N型的,那么该器件为N型的。
C.
反型层是栅极贴片和主体的绝缘层
D.
当UGS大于某一电压值UT时,使P型半导体反型成N型半导体,从而构成反型层。
查看完整题目与答案
【判断题】电荷耦合器件工作时会出现弱反型层和强反型层,这一现象和外加电压大小无关
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【单选题】P型硅基片扩散时,常采用( )元素制备反型层。
A.
P
B.
B
C.
Ag
D.
Al
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【简答题】反型层电荷
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【简答题】[名词解释] 反型层迁移率
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物理学>半导体材料考试题目
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A.
p衬底中的电子,电子
B.
n衬底中的电子,电子
C.
p衬底中的空穴,空穴
D.
n衬底中的空穴,空穴
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【判断题】对于实际 的 MOSFET ,在 亚阈值区,反型层和漏源电流均不存在。
A.
正确
B.
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【单选题】反型层(或导电沟道)是衬底中的( )形成的。
A.
多子
B.
少子
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A.
利用热氧化硅表面产生的反型层
B.
利用金属/半导体界面上的肖特基势垒
C.
金属一绝缘层—半导体结构
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【多选题】关于电力MOSFET的反型层说法正确的是?
A.
反型层一旦形成,就不能恢复到初始状态了
B.
反型层是导电沟道的一部分,如果反型层是N型的,那么该器件为N型的。
C.
反型层是栅极贴片和主体的绝缘层
D.
当UGS大于某一电压值UT时,使P型半导体反型成N型半导体,从而构成反型层。
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【判断题】电荷耦合器件工作时会出现弱反型层和强反型层,这一现象和外加电压大小无关
A.
正确
B.
错误
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【单选题】P型硅基片扩散时,常采用( )元素制备反型层。
A.
P
B.
B
C.
Ag
D.
Al
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【简答题】反型层电荷
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【简答题】[名词解释] 反型层迁移率
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物理学>半导体材料考试题目
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