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【简答题】

超突变结

题目标签：超突变结突变结
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举一反三

【简答题】硅突变结二极管的掺杂浓度为：N d =10 15 cm -3 ，N a =4×10 20 cm -3 ．在室温下计算：
查看完整题目与答案

【判断题】假设一个P+N突变结,且 ,则有 。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【判断题】假设一个p+n突变结，且，则有。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【简答题】若设一个硅突变结，其两边杂质浓度分别为NA=1017/cm3，ND=4.5×1015/cm3，求其势垒高度和xD的值。若结上加10V反偏电压时，求xD值。
查看完整题目与答案

【简答题】单边突变结
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【简答题】已知硅的突变结两边掺杂浓度各为NA=1016cm-3，ND=1020cm-3，
查看完整题目与答案

【单选题】​对于单边突变结，I-V特性由（）决定
A.
过渡区
B.
轻掺杂区
C.
中性区
D.
重掺杂区
查看完整题目与答案

【简答题】硅突变结二极管的掺杂浓度为：Nd=1015cm-3，Na=4×1020cm-3．在室温下计算：
查看完整题目与答案

【简答题】超突变结
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【简答题】突变结近似
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【简答题】突变结近似
查看完整题目与答案

【多选题】单边突变结（one-sided step junction）的特点是
A.
P区和n区的掺杂浓度是均匀的
B.
P 区和 n 区的掺杂浓度都是不均匀的
C.
P 区和 n 区两边的掺杂浓度差别不大
D.
P 区和 n 区两边的掺杂浓度有数量级的差别
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【简答题】[名词解释] 突变结近似
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物理学>半导体材料考试题目

【简答题】已知一个硅突变结，其两边的电阻率分别为ρn=10Ω·cm的n-Si和电阻率为ρp=0.01Ω·cm的p-Si，已知其μn=100cm2/(V·s)，μp=300cm2/(V·s)，试求其在室温下势垒高度和势垒宽度。
查看完整题目与答案

【单选题】p + n 突变结的势垒电容,主要随_________而减少。
A.
p 区掺杂浓度的增加
B.
p 区掺杂浓度的降低
C.
n区掺杂浓度的增加
D.
n 区掺杂浓度的降低
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【多选题】对于单边突变结，
A.
耗尽层宽度主要在轻掺杂一侧
B.
耗尽层宽度主要在重掺杂一侧
C.
内建电势主要降落在轻掺杂一侧
D.
内建电势主要降落在重掺杂一侧
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【简答题】超突变结
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【简答题】[名词解释] 单边突变结
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物理学>半导体材料考试题目

【单选题】下列PN结中,不属于突变结的是( )。zz
A.
合金结
B.
高表面浓度的浅扩散P+N结
C.
高表面浓度的浅扩散N+P结
D.
低表面浓度的深扩散结
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【简答题】[名词解释] 超突变结
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物理学>半导体材料考试题目
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正确
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P区和n区的掺杂浓度是均匀的
B.
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A.
p 区掺杂浓度的增加
B.
p 区掺杂浓度的降低
C.
n区掺杂浓度的增加
D.
n 区掺杂浓度的降低
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【多选题】对于单边突变结，
A.
耗尽层宽度主要在轻掺杂一侧
B.
耗尽层宽度主要在重掺杂一侧
C.
内建电势主要降落在轻掺杂一侧
D.
内建电势主要降落在重掺杂一侧
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A.
合金结
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高表面浓度的浅扩散P+N结
C.
高表面浓度的浅扩散N+P结
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低表面浓度的深扩散结
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