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【简答题】

空间电荷层、内建电场与势垒高度

题目标签：内建电场势垒高度空间电荷层
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参考答案：
举一反三

【单选题】PN结反向偏置时,其内建电场被
A.
削弱
B.
增强
C.
不变
D.
不确定
查看完整题目与答案

【多选题】下列影响pn结势垒高度的因素包括：
A.
pn结两边的掺杂浓度。
B.
温度。
C.
pn结材料的禁带宽度。
D.
正向偏压的大小。
查看完整题目与答案

【判断题】PN结内建电场的方向是P指向N。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【判断题】pn结的正向偏压可降低pn结的势垒高度
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【单选题】PN结的内建电场方向是（ ）。
A.
由P区指向N区
B.
由N区指向P区
C.
外加电压方向
D.
随机的
查看完整题目与答案

【简答题】三种空间电荷层：（）、（）、（）
查看完整题目与答案

【单选题】内建电场方向为( )。
A.
阴极指向阳极
B.
正极指向负极
C.
n型半导体指向p型半导体指的电场
D.
p型半导体指向n型半导体的电场
查看完整题目与答案

【简答题】界面态对肖特基势垒高度有什么影响?
查看完整题目与答案

【单选题】对于Ge pn结，已知Na=1E17 cm-3，Nd=1E15 cm-3。则內建势垒高度为（）eV
A.
0.1
B.
0.3
C.
0.5
D.
0.7
查看完整题目与答案

【单选题】考虑镜像力后，金属半导体接触的势垒高度将()
A.
降低
B.
不变
C.
升高
D.
无法判断
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【单选题】PN结的内建电场的方向是（）？
A.
从N区到P区方向；
B.
从P区到N区方向；
C.
电子移动的方向；
D.
空穴运动的方向；
查看完整题目与答案

【简答题】空间电荷层、内建电场与势垒高度
查看完整题目与答案

【单选题】典型实际金半接触（n-Si）的势垒高度约为（）eV。
A.
0.1
B.
0.3
C.
0.6
D.
0.9
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【简答题】界面态对肖特基势垒高度有什么影响?
查看完整题目与答案

【判断题】P-N结内建电场的方向为p区指向n区
A.
正确
B.
错误
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【单选题】加正向偏压于 pn 结,势垒高度将( )。
A.
升高
B.
下降
C.
不变
D.
不确定
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【单选题】下列势垒中(a为势垒宽度，U0为势垒高度)，隧道效应最明显的是()
A.
a=1nm，U0=3eV
B.
a=20，U0=104cm-1
C.
a=10bohr，U0=104cm-1
D.
a=0.03μm，U0=5eV
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【判断题】P-N结内建电场的方向是P区指向N区
A.
正确
B.
错误
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【简答题】内建电场
查看完整题目与答案

【简答题】典型实际金半接触（n-Si）的势垒高度约为（）eV。
查看完整题目与答案
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A.
pn结两边的掺杂浓度。
B.
温度。
C.
pn结材料的禁带宽度。
D.
正向偏压的大小。
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A.
正确
B.
错误
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A.
正确
B.
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【单选题】PN结的内建电场方向是（ ）。
A.
由P区指向N区
B.
由N区指向P区
C.
外加电压方向
D.
随机的
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【单选题】内建电场方向为( )。
A.
阴极指向阳极
B.
正极指向负极
C.
n型半导体指向p型半导体指的电场
D.
p型半导体指向n型半导体的电场
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【单选题】对于Ge pn结，已知Na=1E17 cm-3，Nd=1E15 cm-3。则內建势垒高度为（）eV
A.
0.1
B.
0.3
C.
0.5
D.
0.7
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【单选题】考虑镜像力后，金属半导体接触的势垒高度将()
A.
降低
B.
不变
C.
升高
D.
无法判断
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【单选题】PN结的内建电场的方向是（）？
A.
从N区到P区方向；
B.
从P区到N区方向；
C.
电子移动的方向；
D.
空穴运动的方向；
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【单选题】典型实际金半接触（n-Si）的势垒高度约为（）eV。
A.
0.1
B.
0.3
C.
0.6
D.
0.9
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【判断题】P-N结内建电场的方向为p区指向n区
A.
正确
B.
错误
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【单选题】加正向偏压于 pn 结,势垒高度将( )。
A.
升高
B.
下降
C.
不变
D.
不确定
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【单选题】下列势垒中(a为势垒宽度，U0为势垒高度)，隧道效应最明显的是()
A.
a=1nm，U0=3eV
B.
a=20，U0=104cm-1
C.
a=10bohr，U0=104cm-1
D.
a=0.03μm，U0=5eV
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【判断题】P-N结内建电场的方向是P区指向N区
A.
正确
B.
错误
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【简答题】内建电场
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【简答题】典型实际金半接触（n-Si）的势垒高度约为（）eV。
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