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【简答题】

制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成的。
设n型硅单晶衬底是掺锑的，锑的电离能为0.039eV，300K时的EF位于导带下面0.026eV处，计算锑的浓度和导带中电子浓度。

题目标签：电子浓度杂质浓度导带中
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参考答案：
举一反三

【单选题】相同施主杂质浓度( N D =1x10 16 cm -3 )的半导体硅和锗,室温时 _________ 。
A.
硅中的电子浓度远大于锗
B.
硅中的电子浓度远小于锗
C.
硅中的空穴浓度远大于锗
D.
硅中的空穴浓度远小于锗
查看完整题目与答案

【判断题】晶体导带中的电子可视同自由电子。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【判断题】有2个n-Si样品，甲的施主浓度高于乙的施主浓度。室温下，这2个n-Si样品些样品的电子浓度由高到低的顺序是甲乙 。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【单选题】金属中的电子浓度很高，因此当温度升高时( )。
A.
电子浓度增加，导电能力增强
B.
电子浓度不变，导电能力不变
C.
电子之间的碰撞加剧，导电能力增强
D.
电子之间的碰撞加剧，导电能力减弱
查看完整题目与答案

【单选题】P型半导体中，电子浓度ni （ ） 空穴浓度pi 。
A.
大于
B.
小于
C.
等于
D.
大于等于
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【单选题】N 型半导体中的自由电子浓度 ___ 空穴浓度( )
A.
小于
B.
等于
C.
不确定
D.
大于
查看完整题目与答案

【简答题】求出绝对零度时费密能E0F、电子浓度n、能态密度及电子比热N（E0F）与费密半径k0F的关系.
查看完整题目与答案

【简答题】N 型半导体的电子浓度 空穴浓度; PN 结加反向电压时,空间电荷区将 。
查看完整题目与答案

【单选题】离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的()。
A.
能量
B.
剂量
查看完整题目与答案

【多选题】选出电子浓度为21/14的化合物。
A.
Cu5Si
B.
Cu5Zn8
C.
Cu3Sn
D.
CuBe
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C.
硅中的空穴浓度远大于锗
D.
硅中的空穴浓度远小于锗
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A.
正确
B.
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A.
正确
B.
错误
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【单选题】金属中的电子浓度很高，因此当温度升高时( )。
A.
电子浓度增加，导电能力增强
B.
电子浓度不变，导电能力不变
C.
电子之间的碰撞加剧，导电能力增强
D.
电子之间的碰撞加剧，导电能力减弱
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A.
大于
B.
小于
C.
等于
D.
大于等于
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【单选题】N 型半导体中的自由电子浓度 ___ 空穴浓度( )
A.
小于
B.
等于
C.
不确定
D.
大于
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A.
能量
B.
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A.
Cu5Si
B.
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C.
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