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【简答题】
掺施主浓度ND=1015cm-3的n型硅，由于光的照射产生了非平衡载流子∆n=∆p=1014cm-3。试计算这种情况下的准费米能级位置，并和原来的费米能级作比较。
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举一反三
【单选题】对均匀半导体施加均匀电场,并在表面光注入非平衡载流子,此时半导体中的载流子运动不包括:
A.
非平衡载载流子（电子和空穴）的扩散运动
B.
平衡载载流子（电子和空穴）的漂移运动
C.
非平衡载流子（电子和空穴）的漂移运动
D.
平衡载流子（电子和空穴）的扩散运动
【多选题】半导体对不同波长光的吸收包括()和晶格吸收等,主要由本征吸收产生额外的光生非平衡载流子,最终实现太阳能发电功能。
A.
）本征吸收
B.
）杂质吸收
C.
）激子吸收
D.
）载流子吸收
【单选题】光照前半导体硅的电子浓度为 1.5x10 14 cm -3 ,空穴浓度1.5x10 6 cm -3 ,光照产生的非平衡载流子浓度为1.5x10 10 cm -3 ,则电子和空穴准费米能级的差为:
A.
0.12eV
B.
0.24eV
C.
0.36eV
D.
0.48eV
【多选题】关于非平衡载流子的说法，正确的有：
A.
一般情况，注入的非平衡载流子浓度比平衡的多数载流子浓度小很多。
B.
小注入的情况下，非平衡少子的浓度还是可以比平衡少数载流子浓度大很多。
C.
非平衡少数载流子起重要作用。
D.
非平衡多数载流子起重要作用。
【单选题】一块半导体寿命τ=15µs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（）。
A.
1/4；
B.
1/e；
C.
1/e2；
D.
1/2
【单选题】在非平衡时，电子浓度可以用电子的准费米能级EFn来表示，则表达式为
A.
n=niexp((EF-Ei)/kT)
B.
n=niexp((Ei-EF)/kT)
C.
n=niexp((EFn-Ei)/kT)
D.
n=niexp((Ei-EFn)/kT)
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C.
非平衡载流子（电子和空穴）的漂移运动
D.
平衡载流子（电子和空穴）的扩散运动
【多选题】半导体对不同波长光的吸收包括()和晶格吸收等,主要由本征吸收产生额外的光生非平衡载流子,最终实现太阳能发电功能。
A.
）本征吸收
B.
）杂质吸收
C.
）激子吸收
D.
）载流子吸收
【单选题】光照前半导体硅的电子浓度为 1.5x10 14 cm -3 ,空穴浓度1.5x10 6 cm -3 ,光照产生的非平衡载流子浓度为1.5x10 10 cm -3 ,则电子和空穴准费米能级的差为:
A.
0.12eV
B.
0.24eV
C.
0.36eV
D.
0.48eV
【多选题】关于非平衡载流子的说法，正确的有：
A.
一般情况，注入的非平衡载流子浓度比平衡的多数载流子浓度小很多。
B.
小注入的情况下，非平衡少子的浓度还是可以比平衡少数载流子浓度大很多。
C.
非平衡少数载流子起重要作用。
D.
非平衡多数载流子起重要作用。
【单选题】一块半导体寿命τ=15µs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（）。
A.
1/4；
B.
1/e；
C.
1/e2；
D.
1/2
【单选题】在非平衡时，电子浓度可以用电子的准费米能级EFn来表示，则表达式为
A.
n=niexp((EF-Ei)/kT)
B.
n=niexp((Ei-EF)/kT)
C.
n=niexp((EFn-Ei)/kT)
D.
n=niexp((Ei-EFn)/kT)
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