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【简答题】
测试方块电阻用到四探针仪器,测试时扩散面向 。
题目标签:
扩散面
四探针
方块电阻
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参考答案:
举一反三
【单选题】方块电阻与电阻率( )关系。
A.
没有
B.
呈正相关
C.
呈负相关
D.
以上都错
查看完整题目与答案
【判断题】导线的方块电阻跟工艺有关,跟导线的尺寸无关
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【判断题】方块电阻大时,电池片总的串联电阻也随之增大。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【单选题】方块电阻的测量方法是
A.
四探针法
B.
热探针法
C.
磨角染色法
D.
滚槽法
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【多选题】整管方块电阻太低原因()。
A.
沉积时间过长
B.
沉积温度过高
C.
推进时间太长
D.
推进温度太高
查看完整题目与答案
【简答题】若要降低透明导电玻璃的方块电阻,应:
查看完整题目与答案
【单选题】方块电阻与电阻率( )关系。
A.
没有
B.
呈正相关
C.
呈负相关
D.
以上都错
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【简答题】直流四探针发测量电阻率的基本原理是?
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【单选题】硅片在刻蚀机内的时候,扩散面是朝向哪一面的( )
A.
朝上
B.
朝下
C.
朝上朝下都有
D.
以上说法都不正确
查看完整题目与答案
【单选题】方块电阻的测量方法是
A.
热探针法
B.
三探针法
C.
四探针法
D.
光电导衰减法
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A.
没有
B.
呈正相关
C.
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D.
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【判断题】导线的方块电阻跟工艺有关,跟导线的尺寸无关
A.
正确
B.
错误
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【判断题】方块电阻大时,电池片总的串联电阻也随之增大。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】方块电阻的测量方法是
A.
四探针法
B.
热探针法
C.
磨角染色法
D.
滚槽法
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【多选题】整管方块电阻太低原因()。
A.
沉积时间过长
B.
沉积温度过高
C.
推进时间太长
D.
推进温度太高
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【简答题】若要降低透明导电玻璃的方块电阻,应:
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【单选题】方块电阻与电阻率( )关系。
A.
没有
B.
呈正相关
C.
呈负相关
D.
以上都错
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【简答题】直流四探针发测量电阻率的基本原理是?
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【单选题】硅片在刻蚀机内的时候,扩散面是朝向哪一面的( )
A.
朝上
B.
朝下
C.
朝上朝下都有
D.
以上说法都不正确
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【单选题】方块电阻的测量方法是
A.
热探针法
B.
三探针法
C.
四探针法
D.
光电导衰减法
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