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【简答题】

硅中的施主杂质浓度最高为多少时材料是非简并的？

题目标签：施主杂质非简并杂质浓度
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参考答案：
举一反三

【单选题】非简并定态微扰理论中，波函数的一级近似公式为（）
A.
A
B.
B
C.
C
D.
D
查看完整题目与答案

【单选题】当活性污泥或化学污泥等杂质浓度大于（）mg／L时，将出现成区沉降。
A.
200—500
B.
500—1000
C.
750—1000
D.
1000—2000
查看完整题目与答案

【简答题】受主杂质电离后向半导体提供（），施主杂质电离后向半导体提供（），本征激发向半导体提供（）。
查看完整题目与答案

【单选题】相同施主杂质浓度( N D =1x10 16 cm -3 )的半导体硅和锗,室温时 _________ 。
A.
硅中的电子浓度远大于锗
B.
硅中的电子浓度远小于锗
C.
硅中的空穴浓度远大于锗
D.
硅中的空穴浓度远小于锗
查看完整题目与答案

【判断题】该式是非简并微扰计算过程量,其结论是否正确?
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【简答题】硅中受主杂质浓度为1017cm-3，计算在300K下的载流子浓度n0和p0。
查看完整题目与答案

【简答题】砷化镓中施主杂质浓度为1016cm-3，分别计算T=300K、400K的电阻率和电导率。
查看完整题目与答案

【单选题】当扩散电阻的表面杂质浓度增加时，压阻系数？
A.
增加
B.
减小
C.
不变
D.
不定
查看完整题目与答案

【判断题】施主杂质电离后形成正电中心。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的()。
A.
能量
B.
剂量
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A
B.
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C
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A.
200—500
B.
500—1000
C.
750—1000
D.
1000—2000
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【简答题】受主杂质电离后向半导体提供（），施主杂质电离后向半导体提供（），本征激发向半导体提供（）。
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【单选题】相同施主杂质浓度( N D =1x10 16 cm -3 )的半导体硅和锗,室温时 _________ 。
A.
硅中的电子浓度远大于锗
B.
硅中的电子浓度远小于锗
C.
硅中的空穴浓度远大于锗
D.
硅中的空穴浓度远小于锗
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A.
正确
B.
错误
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【简答题】砷化镓中施主杂质浓度为1016cm-3，分别计算T=300K、400K的电阻率和电导率。
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【单选题】当扩散电阻的表面杂质浓度增加时，压阻系数？
A.
增加
B.
减小
C.
不变
D.
不定
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【判断题】施主杂质电离后形成正电中心。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的()。
A.
能量
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