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【判断题】

N 沟道结型场效应管输出特性的预夹断轨迹由uGD=Ugs(off) 的点组成。

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举一反三

【多选题】场效应管的类型有()。

A.
结型场效应管
B.
绝缘栅型场效应管
C.
N沟道增强型MOS管
D.
P沟道增强型MOS管
E.
N沟道耗尽型MOS管
F.
P沟道耗尽型MOS管

【单选题】晶体三极管输出特性分为三个区,分别是()。

A.
饱和区、开关区和截止区
B.
开关区、导通区和截止区
C.
开关区、放大区和导通区
D.
放大区、饱和区和截止区

【单选题】N 沟道和 P 沟道场效应管的区别在于 ____

A.
衬底材料前者为硅,后者为锗
B.
衬底材料前者为 N 型,后者为 P 型
C.
导电沟道中载流子前者为电子,后者为空穴
D.
衬底材料前者为 P 型,后者为 N 型
相关题目:
【多选题】UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有 ( ) 。
A.
增强型 NMOS
B.
增强型 PMOS
C.
耗尽型 NMOS
D.
耗尽型 PMOS
【多选题】场效应管的类型有()。
A.
结型场效应管
B.
绝缘栅型场效应管
C.
N沟道增强型MOS管
D.
P沟道增强型MOS管
E.
N沟道耗尽型MOS管
F.
P沟道耗尽型MOS管
【单选题】晶体三极管输出特性分为三个区,分别是()。
A.
饱和区、开关区和截止区
B.
开关区、导通区和截止区
C.
开关区、放大区和导通区
D.
放大区、饱和区和截止区
【单选题】N 沟道和 P 沟道场效应管的区别在于 ____
A.
衬底材料前者为硅,后者为锗
B.
衬底材料前者为 N 型,后者为 P 型
C.
导电沟道中载流子前者为电子,后者为空穴
D.
衬底材料前者为 P 型,后者为 N 型
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