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【单选题】

‏室温下,某半导体的本征载流子浓度为2×106cm-3,掺杂浓度为ND=1015cm-3,电子和空穴的迁移率分别为8500cm2/V·s和400cm2/V·s。若外加电场强度为10V/cm,则其漂移电流密度为()A/cm2

A.
1.36
B.
13.6
C.
0.68
D.
6.8
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