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【简答题】

纯净的单晶半导体又称 半导体,其内部载流子自由电子空穴的数量 。

题目标签：载流子电子空穴自由电子
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参考答案：
举一反三

【单选题】杂质半导体中多数载流子的浓度取决于
A.
温度
B.
杂质浓度
C.
电子空穴对数
查看完整题目与答案

【简答题】在杂质半导体中,温度变化时,载流子的数目变化吗?少子与多子变化的数目相同吗?少子与多子浓度的变化相同吗?
查看完整题目与答案

【单选题】​N型半导体中自由电子的浓度与
A.
与环境温度有关
B.
与光照强弱有关
C.
与本征激发有关
D.
掺杂浓度有关
查看完整题目与答案

【简答题】布洛赫电子论作了哪些基本近似？它与金属自由电子论相比有哪些改进？
查看完整题目与答案

【简答题】半导体中有两种载流子,带正电的 和带负电的 。
查看完整题目与答案

【单选题】PIN光电二极管,平均每三个入射光子产生一个电子空穴对,假设所有电子都被收集,则该器件的量子效率为 ________。
A.
1/3
B.
1/4
C.
1/2
D.
0.4
查看完整题目与答案

【单选题】N 型半导体的多数载流子是电子,因此它应()
A.
不带电
B.
不确定
C.
带负电
D.
带正电
查看完整题目与答案

【单选题】三极管基极的作用是( )载流子。
A.
发射
B.
输送控制
C.
收集
查看完整题目与答案

【多选题】半导体中的载流子散射概率,与温度成正比的是:
A.
电离杂质散射
B.
晶格振动散射
C.
声学波散射
D.
光学波散射
查看完整题目与答案

【简答题】分析快电荷灵敏前置放大器。分别计算电荷和能量变换增益。（ω=3.6ev/电子空穴对，e=1.6×10-19库仑）
查看完整题目与答案

【简答题】N型半导体中的自由电子属于（ ）载流子。
查看完整题目与答案

【简答题】杂质半导体中的多数载流子是怎样形成的?
查看完整题目与答案

【简答题】在 P 型半导体中,多数载流子是 ,而 N 型半导体中,多数载流子是 。
查看完整题目与答案

【判断题】NPN型的BJT和NMOS器件的载流子均只有1种
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【单选题】自由电子带负电,空穴带正电。
A.
Yes
B.
No
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【判断题】N型半导体中,主要依靠自由电子导电,空穴是少数载流子。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【简答题】p-n结太阳电池在稳定的光照下,产生的电子空穴对,在内建电场的作用下,电子“集结”______区,空穴 “集结”到________区,此时电池两级之间的电压是太阳电池的光生电压。
查看完整题目与答案

【判断题】N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。
A.
正确
B.
错误
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【判断题】杂质型半导体的多数载流子的浓度取决于掺杂浓度。
A.
正确
B.
错误
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【简答题】杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率_________，（变小，变大）晶格振动声子的散射概率_________。（变小，变大）
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与本征激发有关
D.
掺杂浓度有关
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A.
1/3
B.
1/4
C.
1/2
D.
0.4
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A.
不带电
B.
不确定
C.
带负电
D.
带正电
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A.
发射
B.
输送控制
C.
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【多选题】半导体中的载流子散射概率,与温度成正比的是:
A.
电离杂质散射
B.
晶格振动散射
C.
声学波散射
D.
光学波散射
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A.
正确
B.
错误
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A.
Yes
B.
No
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【判断题】N型半导体中,主要依靠自由电子导电,空穴是少数载流子。
A.
正确
B.
错误
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【简答题】p-n结太阳电池在稳定的光照下,产生的电子空穴对,在内建电场的作用下,电子“集结”______区,空穴 “集结”到________区,此时电池两级之间的电压是太阳电池的光生电压。
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【判断题】N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。
A.
正确
B.
错误
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【判断题】杂质型半导体的多数载流子的浓度取决于掺杂浓度。
A.
正确
B.
错误
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