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【简答题】

共发射极输入特性曲线与二极管的正向伏安特性曲线相似,硅管的死区电压为________,锗管的死区电压为________,硅管的导通压降为__________,锗管的导通压降为_________。

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参考答案:
举一反三

【单选题】硅管和锗管的伏安特性曲线( )

A.
就是同一条曲线
B.
锗管的特性曲线靠近纵轴
C.
硅管的特性曲线靠近纵轴
D.
在某个位置重合

【单选题】两个不等值电阻的伏安特性曲线如图所示,下列表述中正确的是

A.
特性a对应的电阻值大,两电阻串联后的伏安特性处于Ⅰ区域
B.
特性b对应的电阻值大,两电阻串联后的伏安特性处于Ⅱ区域
C.
特性a对应的电阻值大,两电阻并联后的伏安特性处于Ⅲ区域
D.
特性b对应的电阻值大,两电阻并联后的伏安特性处于Ⅰ区域

【单选题】做“描绘小灯泡的伏安特性曲线”时所描绘曲线不是直线,某同学分析实验结论时给出以下理由,其中正确的是 [ ]

A.
电源电压较高,降低电压就一定会是直线
B.
小灯泡灯丝电阻不是恒值,随温度升高会发生变化
C.
电路中的连接点有接触不良的现象
D.
改描I-U曲线可能变为直线

【单选题】某一导体的伏安特性曲线如图所示的 AB 曲线,关于导体的电阻,以下说法正确的是 ( ) 。

A.
B 点的电阻为 12 Ω
B.
B 点的电阻为 40 Ω
C.
工作状态从 A 变化到 B 时,导体的电阻因温度的影响改变了 1 Ω
D.
工作状态从 A 变化到 B 时,导体的电阻因温度的影响改变了 9 Ω
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A.
特性a对应的电阻值大,两电阻串联后的伏安特性处于Ⅰ区域
B.
特性b对应的电阻值大,两电阻串联后的伏安特性处于Ⅱ区域
C.
特性a对应的电阻值大,两电阻并联后的伏安特性处于Ⅲ区域
D.
特性b对应的电阻值大,两电阻并联后的伏安特性处于Ⅰ区域
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A.
电源电压较高,降低电压就一定会是直线
B.
小灯泡灯丝电阻不是恒值,随温度升高会发生变化
C.
电路中的连接点有接触不良的现象
D.
改描I-U曲线可能变为直线
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A.
B 点的电阻为 12 Ω
B.
B 点的电阻为 40 Ω
C.
工作状态从 A 变化到 B 时,导体的电阻因温度的影响改变了 1 Ω
D.
工作状态从 A 变化到 B 时,导体的电阻因温度的影响改变了 9 Ω
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