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【判断题】
高频MIS的C-V曲线与低频C-V曲线的分叉点出现在弱反型区。
A.
正确
B.
错误
题目标签:
弱反型
反型区
分叉点
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参考答案:
举一反三
【单选题】p型的MOS结构半导体表面处于反型区时,空间电荷是 的,为 ( )。
A.
正,电离施主杂质
B.
正,电离施主杂质和空穴
C.
负,电离受主杂质
D.
负,电离受主杂质和电子
查看完整题目与答案
【单选题】在横断层⾯上,最先出现的汇合(分叉)点()
A.
肝左、右管
B.
肝⻔静脉
C.
肝固有动脉
D.
胆囊管与肝总管
E.
胆囊静脉注⼊肝⻔静脉处
查看完整题目与答案
【单选题】MOSFET器件的阈值电压实际上是栅极MOS电容强反型区的起点。( )
A.
对
B.
错
查看完整题目与答案
【单选题】在肝蒂中的结构,其分叉点或汇合点从高到低的排列是()。
A.
肝门静脉、肝管、肝固有动脉
B.
肝管、肝门静脉、肝固有动脉
C.
肝固有动脉、肝门静脉、肝管
D.
肝门静脉、肝固有动脉、肝管
E.
肝管、肝固有动脉、肝门静脉
查看完整题目与答案
基础医学>腹部考试题目
【判断题】低频下,MOS器件在耗尽或弱反型专态,电容是偏压的函数
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【简答题】[名词解释] 弱反型
查看完整题目与答案
物理学>半导体材料考试题目
【判断题】电荷耦合器件工作时会出现弱反型层和强反型层,这一现象和外加电压大小无关
A.
正确
B.
错误
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【单选题】在肝蒂中的结构,其分叉点或汇合点从高到低的排列是()。
A.
肝门静脉、肝管、肝固有动脉
B.
肝管、肝门静脉、肝固有动脉
C.
肝固有动脉、肝门静脉、肝管
D.
肝门静脉、肝固有动脉、肝管
E.
肝管、肝固有动脉、肝门静脉
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【简答题】弱反型
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【判断题】MOS电容的工作状态包括积累区、平带、耗尽区、反型区等。( )
A.
正确
B.
错误
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正,电离施主杂质
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负,电离受主杂质
D.
负,电离受主杂质和电子
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A.
肝左、右管
B.
肝⻔静脉
C.
肝固有动脉
D.
胆囊管与肝总管
E.
胆囊静脉注⼊肝⻔静脉处
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【单选题】MOSFET器件的阈值电压实际上是栅极MOS电容强反型区的起点。( )
A.
对
B.
错
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【单选题】在肝蒂中的结构,其分叉点或汇合点从高到低的排列是()。
A.
肝门静脉、肝管、肝固有动脉
B.
肝管、肝门静脉、肝固有动脉
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肝固有动脉、肝门静脉、肝管
D.
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正确
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【判断题】电荷耦合器件工作时会出现弱反型层和强反型层,这一现象和外加电压大小无关
A.
正确
B.
错误
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【单选题】在肝蒂中的结构,其分叉点或汇合点从高到低的排列是()。
A.
肝门静脉、肝管、肝固有动脉
B.
肝管、肝门静脉、肝固有动脉
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肝固有动脉、肝门静脉、肝管
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肝门静脉、肝固有动脉、肝管
E.
肝管、肝固有动脉、肝门静脉
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【简答题】弱反型
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【判断题】MOS电容的工作状态包括积累区、平带、耗尽区、反型区等。( )
A.
正确
B.
错误
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