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【多选题】

根据下图所示的MOS管版图，可知下列几个寄生电容与沟道宽度W成正比的有 （粉色为多晶硅层，绿色为有源区层，黑色为接触孔层，深绿色为金属层）

A.
栅与源漏区的耦合电容
B.
扩散区的底板电容
C.
栅-沟道电容
D.
扩散区的侧壁电容
题目标签：寄生电容沟道宽度多晶硅层
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参考答案：
举一反三

【判断题】缩小传感器至测量线路前置极的距离有利于减小电容式传感器寄生电容的影响。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】在设备中为防止静电或电场的干扰,防止寄生电容耦合,通常采用的( )
A.
电屏蔽
B.
。磁屏蔽
C.
。电磁屏蔽
D.
。无线电屏蔽
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【判断题】驱动电缆技术可以降低电容传感器的寄生电容影响。( )
A.
正确
B.
错误
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【简答题】分布和寄生电容的存在对电容传感器影响是改变传感器总的电容量、使传感器电容变的（），易随外界因素的变化而变化。
查看完整题目与答案

【多选题】电容式传感器减小和消除寄生电容的常用方法是（）
A.
驱动电缆法
B.
减小传感器的初始电容值
C.
整体屏蔽法
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【简答题】电容式传感器主要缺点有寄生电容影响较大、当电容式传感器用于变间隙原理进行测量时具有（）。
查看完整题目与答案

【简答题】分布和寄生电容的存在对电容传感器的影响和措施有哪些？ 
查看完整题目与答案

【简答题】CMOS动态逻辑门的操作取决于暂时储存在寄生节点电容内的电荷,而大部分器件寄生电容是由器件结构中三维分布的电荷-电压关系引起的,根据物理来源,MOS寄生电容可以分为 和 两类。
查看完整题目与答案

【单选题】题5-7-4：不会导致互连线之间的寄生电容增大的是。
A.
连线介质采用低介电常数材料；
B.
连线间距减小；
C.
连线面积增大；
D.
连线介质采用低介电常数材料；
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【判断题】晶体管的寄生电容对低频特性无影响，但会使高频特性恶化。
A.
正确
B.
错误
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A.
电屏蔽
B.
。磁屏蔽
C.
。电磁屏蔽
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。无线电屏蔽
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A.
正确
B.
错误
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A.
驱动电缆法
B.
减小传感器的初始电容值
C.
整体屏蔽法
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【简答题】电容式传感器主要缺点有寄生电容影响较大、当电容式传感器用于变间隙原理进行测量时具有（）。
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【简答题】CMOS动态逻辑门的操作取决于暂时储存在寄生节点电容内的电荷,而大部分器件寄生电容是由器件结构中三维分布的电荷-电压关系引起的,根据物理来源,MOS寄生电容可以分为 和 两类。
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【单选题】题5-7-4：不会导致互连线之间的寄生电容增大的是。
A.
连线介质采用低介电常数材料；
B.
连线间距减小；
C.
连线面积增大；
D.
连线介质采用低介电常数材料；
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【判断题】晶体管的寄生电容对低频特性无影响，但会使高频特性恶化。
A.
正确
B.
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