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【简答题】

离子注入杂质浓度分布服从高斯分布函数, 是杂质浓度最大的位置。(写文字)

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刷刷题
参考答案:
举一反三

【单选题】相同施主杂质浓度( N D =1x10 16 cm -3 )的半导体硅和锗,室温时 _________ 。

A.
硅中的电子浓度远大于锗
B.
硅中的电子浓度远小于锗
C.
硅中的空穴浓度远大于锗
D.
硅中的空穴浓度远小于锗

【多选题】离子注入有下面哪种特点:

A.
掺入杂质的浓度可高于该杂质在硅中的固溶度
B.
掺杂可控性好于扩散
C.
工艺方法简单、成本低
D.
与扩散相比离子注入杂质分布横向效应小
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硅中的电子浓度远大于锗
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硅中的电子浓度远小于锗
C.
硅中的空穴浓度远大于锗
D.
硅中的空穴浓度远小于锗
【多选题】离子注入有下面哪种特点:
A.
掺入杂质的浓度可高于该杂质在硅中的固溶度
B.
掺杂可控性好于扩散
C.
工艺方法简单、成本低
D.
与扩散相比离子注入杂质分布横向效应小
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