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【简答题】
离子注入杂质浓度分布服从高斯分布函数, 是杂质浓度最大的位置。(写文字)
题目标签:
离子注入
杂质浓度
分布函数
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参考答案:
举一反三
【判断题】总体的分布函数一般情况下可以用数学方法推导出来。
A.
正确
B.
错误
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【简答题】离子注入后退火的作用是什么?
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【单选题】在线段[0,1]上面等可能取一个点X是一个随机变量,假如它的概率分布函数是F(t),则F(3)等于多少?
A.
1
B.
3
C.
0.5
D.
0
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【单选题】相同施主杂质浓度( N D =1x10 16 cm -3 )的半导体硅和锗,室温时 _________ 。
A.
硅中的电子浓度远大于锗
B.
硅中的电子浓度远小于锗
C.
硅中的空穴浓度远大于锗
D.
硅中的空穴浓度远小于锗
查看完整题目与答案
【简答题】设X是离散型随机变量,其分布函数为 Y是连续型随机变量,其概率密度为记a=P(X=1),则概率P(Y≥a)______.
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【简答题】设随机变量X的分布函数为试求X的概率分布
查看完整题目与答案
【单选题】设随机变量X的分布函数为F(x),则Y=2X+1的分布函数为( )。
A.
A
B.
B
C.
C
D.
D
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【简答题】设连续型随机变量X的分布函数F(x)=A+Barctanx(-∞<x<+∞),求:
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【多选题】离子注入有下面哪种特点:
A.
掺入杂质的浓度可高于该杂质在硅中的固溶度
B.
掺杂可控性好于扩散
C.
工艺方法简单、成本低
D.
与扩散相比离子注入杂质分布横向效应小
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【判断题】经验分布函数满足分布函数的性质
A.
正确
B.
错误
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正确
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A.
1
B.
3
C.
0.5
D.
0
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【单选题】相同施主杂质浓度( N D =1x10 16 cm -3 )的半导体硅和锗,室温时 _________ 。
A.
硅中的电子浓度远大于锗
B.
硅中的电子浓度远小于锗
C.
硅中的空穴浓度远大于锗
D.
硅中的空穴浓度远小于锗
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【简答题】设X是离散型随机变量,其分布函数为 Y是连续型随机变量,其概率密度为记a=P(X=1),则概率P(Y≥a)______.
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【简答题】设随机变量X的分布函数为试求X的概率分布
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A.
A
B.
B
C.
C
D.
D
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【多选题】离子注入有下面哪种特点:
A.
掺入杂质的浓度可高于该杂质在硅中的固溶度
B.
掺杂可控性好于扩散
C.
工艺方法简单、成本低
D.
与扩散相比离子注入杂质分布横向效应小
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【判断题】经验分布函数满足分布函数的性质
A.
正确
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